英特尔(Intel)和美光(Micron)在2015年8月推出了3D XPoint,打造出25年以来的首款新型态内存技术。2016年,英特尔发布采用3D XPoint技术的Optane品牌储存产品,成为该技术最先上市的新一代高性能固态硬盘(SSD)系列。

然而本周一(1月8日),合作多年的两家公司宣布将在完成第三代 3D NAND 研发之后,正式分道扬镳(work independently),但仍将共同继续开发和制造3D XPoint非易失性存储器。

Anandtech、Barronˋs报道,英特尔和美光2006年成立合资公司 IM Flash Technologies发展NAND。在2012年的时候,英特尔把多数IMFT工厂的股份卖给了美光,而只保留Lehi这一个据点。此后,双方就开始各自兴建自己的生产线。英特尔提供研发成本,可分享 NAND 销售收益。 IMFT_400 IMFT在美国犹他州Lehi的制造工厂的外观。(source:维基百科)

不过两家公司 NAND 销售策略迥异,根据IC Insights资深市场研究分析师Rob Lineback的说法,英特尔NAND主要用于数据中心和企业服务器市场的固态硬盘(SSD),而美光除了销售SSD给笔记本电脑厂商,还供应NAND Flash芯片产品给更多OEM客户。

目前,两家公司已进入第二代 3D NAND 工艺,可堆叠 64 层,正在研发第三代产品,预料将可实现 96 层的堆叠技术,预计在 2018 年底、2019 年初问世。此一工艺之后,英特尔和美光将各走各的路。

Objective Analysis首席分析师Jim Handy表示,英特尔在中国大连的300毫米晶圆厂在两年前开始生产3D NAND,使英特尔降低了对供应商美光的依赖度。“我认为这是两家公司分开的好时机,” Handy说。

他补充说,当年英特尔与美光成立合资公司IMFT时,两家公司都不知道他们是否能够在NAND业务中取得成功。因此当时他们的分配投资都是有道理的。“但最近,这两家公司都开始各顾各地投资自己产线,而不和对方商量了,”Handy补充说。

去年11月,IM Flash B60晶圆厂完成扩建工程,Lineback指出,规模扩大后的晶圆厂将生产3D XPoint内存。

关于两家公司分道扬镳的理由,一种猜测是,在NAND堆叠层数破百后,需要调整String Stacking的堆叠方式,两家公司对此看法不同,因而分手。另一种猜测是,目前3D NAND的生产主流是电荷储存式(Charge trap) ,三星电子等厂商均采用这一方式,英特尔/美光是唯一采用浮闸(floating gate)架构的厂商。也许是两家公司中有一家想改采电荷储存式架构,但这相当于承认失败,表明从2D NAND转换成3D NAND后,选用浮闸是一个错误决定,因而闹翻。

值得注意的是,两家公司仍会继续共同研发 3D XPoint 存储器,此一技术被誉为打破摩尔定律的革命技术。英特尔强调,双方都认为,独立之后,将能抽出更多精力优化自身产品、服务客户,且不会对路线图和技术节点造成影响。英特尔称,他们仍旧会在犹他州的Lehi工厂联合研发制造。

本文综合自EETimes、Technews报道

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