据业内消息人士称,联发科聘请了一位前海思执行董事,负责芯片开发,主要为增强其开发高性能处理器 (HPC)、服务器和基站芯片以及定制 ASIC 的能力。
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多年来,研究人员已经能够显著提高各种存储解决方案的比特密度,以跟上不断增长的需求。然而,几年来,HDD 技术一直未能跟随历史生产力趋势线。预计 NAND-Flash 技术也会出现类似的时间延迟。3D-NAND-Flash 预计到 2029 年将达到高达 70Gbit/mm 2的存储密度,相对于历史密度扩展路线图,这将放缓大约四年。
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