网络切片技术的加持下，5G网络根据eMBB、uRLLC、mMTC三大应用场景划分出三大类切片，并且在每个大类的切片之下，又可以针对具体的应用划分为不同的子切片。通过这样的方式，将极大的提升各个不同场景下的各类应用在5G网络下的用户体验。

域控制器(DCU)的出现，是推动汽车产业“ACES趋势”前行的重要力量之一。相比于聚焦特有功能，DCU的目标更专注于集成度、安全性和核心计算。同时，DCU还能够引导汽车供应商将研发资金集中在单个的子系统上，而不是十几个以上的不同子装置。

德州仪器(TI)日前面向汽车和工业应用推出新一代650V和600V氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)。与现有硅基或碳化硅解决方案相比，新的GaN FET系列采用快速切换的2.2MHz集成栅极驱动器，可提供两倍的功率密度和高达99%的效率，并将电动汽车充电器中的电源磁性器件尺寸和车载充电器尺寸分别缩小了59%和50%。

随着电脑游戏发展日趋成熟复杂，当今的游戏玩家越来越重视先进显卡带来的至高性能—流畅的动画效果、清晰的视觉体验、8K分辨率和实时光线追踪，美光日前与英伟达携手，通过在NVIDIA GeForce RTX 3090/3080 GPU中搭载GDDR6X显存，将系统带宽提升为之前无法想象的 1TB/s。

在GTC 2020演讲中，格芯首席执行官Tom Caulfield博士使用了“更好的常态(better normal)”一词来描述后新冠疫情时代的世界。这种“更好的常态”是指社会和企业利用广泛普及的能力扩展和改进数字化基础设施，对数字技术的态度会从此前的“渐进式采用”转变为“变革性采用”，这不仅是半导体行业的发展良机，也是使命。

在2020年ASPENCORE举办的全球CEO峰会上，瑞能半导体(WeEn)公司首席战略&业务运营官沈鑫发表了题为“理想照进现实，拥抱第三代半导体新纪元”的主题演讲。这里所指的第三代半导体，对瑞能而言主要指SiC MOSFET器件。该市场目前主要由国际上几家大的功率半导体公司所主导，市场规模相对来说不大，但增长速度极快。瑞能从2012年开始开展碳化硅材料领域的器件研究，目前，碳化硅肖特基二极管已经大规模量产，并被电源客户广泛采用，碳化硅MOSFET产品也陆续推出市场。

M10是u-blox最新推出的高度集成GNSS技术平台，能同时跟踪多达4个GNSS星座，功耗为12mW，是与前代米级定位芯片相比，功耗降低75%，尺寸也减小了35%，为众多超低功耗高性能定位应用树立了新标杆。

根据预测，到2023年，网络边缘的智能设备数量可能是传统IT领域的20倍以上，Gartner也将边缘计算列为2020年十大战略技术趋势之一。边缘计算为何能呈现这样的高速增长态势？它的下一步会走向何方？恩智浦的技术专家们对此分享了自己的见解。