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东芝宣布推出面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET

时间:2019-12-26 阅读:
2019年12月25日,东芝电子元件及存储装置株式会社宣布,推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET。该系列包括具备低导通电阻的“XPH4R10ANB”-其漏极电流为70A,以及“XPH6R30ANB”-其漏极电流为45A。批量生产和出货计划于今天开始。

2019年12月25日,东芝电子元件及存储装置株式会社宣布,推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET。该系列包括具备低导通电阻的“XPH4R10ANB”-其漏极电流为70A,以及“XPH6R30ANB”-其漏极电流为45A。批量生产和出货计划于今天开始。imzEETC-电子工程专辑

MOSFET产品图imzEETC-电子工程专辑

新产品是东芝首款[1]采用紧凑型SOP Advance(WF)封装的车用100V N沟道功率MOSFET。封装采用可焊锡侧翼端子结构,安装在电路板上时能够进行自动目视检查,从而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低导通电阻有利于降低设备功耗;XPH4R10ANB拥有业界领先的[2]低导通电阻。imzEETC-电子工程专辑

应用:imzEETC-电子工程专辑

・汽车设备imzEETC-电子工程专辑

电源装置(DC-DC转换器)和LED头灯等(电机驱动、开关稳压器和负载开关)imzEETC-电子工程专辑

特性:imzEETC-电子工程专辑

・东芝的首款[1]100V车用产品使用小型表面贴装SOP Advance(WF)封装imzEETC-电子工程专辑

・通过AEC-Q101认证imzEETC-电子工程专辑

・低导通电阻:imzEETC-电子工程专辑

RDS(ON)=4.1mΩ(最大值)@VGS=10V(XPH4R10ANB)imzEETC-电子工程专辑

RDS(ON)=6.3mΩ(最大值)@VGS=10V(XPH6R30ANB)imzEETC-电子工程专辑

・采用可焊锡侧翼端子结构的SOP Advance(WF)封装imzEETC-电子工程专辑

主要规格:imzEETC-电子工程专辑

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注释:imzEETC-电子工程专辑

[1] 截至2019年12月25日imzEETC-电子工程专辑

[2] 在同样规格的产品中,截至2019年12月25日。东芝调查。imzEETC-电子工程专辑

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