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武汉新芯3DLink™技术,赋能西安紫光国芯异质集成嵌入式DRAM(SeDRAM) 平台

时间:2021-08-03 阅读:
武汉新芯集成电路制造有限公司(简称“武汉新芯”)—— 一家领先的集成电路研发与制造企业,与西安紫光国芯半导体有限公司(简称“西安紫光国芯”)开展专业领域纵深合作,其自主开发的3DLink™技术赋能西安紫光国芯异质集成嵌入式DRAM (SeDRAM) 平台,加速行业技术创新实现重大突破

近日,武汉新芯集成电路制造有限公司(简称“武汉新芯”)—— 一家领先的集成电路研发与制造企业,与西安紫光国芯半导体有限公司(简称“西安紫光国芯”)开展专业领域纵深合作,其自主开发的3DLink™技术赋能西安紫光国芯异质集成嵌入式DRAM (SeDRAM) 平台,加速行业技术创新实现重大突破:异质集成嵌入式DRAM (SeDRAM)技术达到目前世界领先水平,相关技术论文已被IEDM 2020、CICC 2021成功录取,在IMW 2021也做了专题报告。武汉新芯基于全新的三维集成技术平台(3DLink™),实现了多款可定制化开发的工艺解决方案进入量产。

西安紫光国芯通过代工合作的方式使用武汉新芯晶圆堆叠技术3DLink™设计SeDRAM平台,将DRAM晶圆和其他不同工艺节点的逻辑晶圆利用Cu-Cu(铜-铜)互连的方式直接键合,实现对存储器的直接访问。通过定制的DRAM支持多种容量(64MB、128MB、256MB到8GB)和多种带宽;同时为不同逻辑工艺提供标准化接口和测试用IP,使SoC集成更加简单快捷。武汉新芯3DLink™技术突破传统封装级Micro-bump互连架构的限制,通过多片晶圆直接键合,达到高密度互连,实现从逻辑电路到存储阵列之间每Gbit高达34GB/s的带宽和0.88pJ/bit的能效。基于SeDRAM平台的两款SoC产品已经在武汉新芯大规模量产。

“在传统的计算机体系结构中,计算单元和存储器之间带宽的鸿沟(即存储墙问题)日益严重。西安紫光国芯的SeDRAM技术利用武汉新芯的3DLink™晶圆堆叠技术平台,创新地将逻辑晶圆和DRAM晶圆直接键合,给业界提供了领先的超大带宽、超低功耗内嵌存储器解决方案。公司凭借多年来的DRAM开发量产能力和SoC设计服务能力,持续创新,提出了并行高效的存储架构,让SeDRAM平台迸发出业界极具竞争力的单位带宽和能效。同在紫光集团旗下,西安紫光国芯与武汉新芯多年来始终保持紧密、默契的友好合作关系。未来,公司还将持续推进更深层次的合作,为人工智能(AI)和高性能计算(HPC)等领域的超大带宽、超低能耗需求提供快速有效的量产方案。”西安紫光国芯常务副总裁江喜平说道。 

“SeDRAM平台的成功设计以及多核SoC的高效开发,是双方通力合作并深入挖掘3DLink™技术平台优势和潜能的结果。”武汉新芯COO孙鹏表示,“西安紫光国芯SeDRAM平台对带宽、算力、功耗等有很高的要求,如果采用先进制程工艺来实现理想的性能,不但成本高昂且还难以保证供应的稳定性,而武汉新芯三维集成技术平台3DLink™可使得这一问题迎刃而解。作为“超越摩尔”的新思路,武汉新芯3DLink™技术平台利用纳米级互连技术,以创新的架构,让客户选用成熟工艺制程即可实现卓越的产品性能。未来我们将深入开展与合作伙伴的联合定制化开发,将3DLink™技术平台的价值不断提升,更高效地为客户提供有竞争优势的产品解决方案。”

关于武汉新芯3DLink

武汉新芯3DLink™是业界领先的半导体三维集成技术平台,可利用纳米级互连技术将多片晶圆或晶圆与芯片在垂直方向直接连接在一起。该平台包括两片晶圆堆叠技术S-stacking®、多片晶圆堆叠技术M-stacking®和异质集成技术Hi-stacking™等技术类别。其中S-stacking®主要应用于传感器(如CIS, ToF)、高速运算及存算一体等产品,M-stacking®主要应用于高带宽存储器等产品。经过多年的技术研发和量产,武汉新芯已搭建起稳定可靠的晶圆级三维堆叠工艺平台,同时开始开发针对不同芯片尺寸或不同基底材质的异质集成技术Hi-stacking™。 

武汉新芯3DLink™技术能明显减小芯片面积,实现更短的连接距离,同时可提升连接速度和通道数目,带来高带宽、低延时和低功耗等优势,为传感器、高速运算和高带宽存储器等芯片系统提供强大的技术支持。 

关于武汉新芯

武汉新芯集成电路制造有限公司(“XMC”),于2006年在武汉成立,是一家领先的集成电路研发与制造企业。武汉新芯专注于先进特色工艺开发,重点发展三维集成技术3DLink™、特色存储工艺和特色逻辑工艺平台,致力于为全球客户提供高品质的创新产品及技术服务。 

武汉新芯拥有2座12寸晶圆厂,每座晶圆厂产能可达3万片+/月。 

更多信息请访问公司官网www.xmcwh.com。 

关于西安紫光国芯SeDRAM

西安紫光国芯的异质集成嵌入式DRAM(SeDRAM™)是业界领先的超大带宽、超低功耗内嵌存储器解决方案。SeDRAM™采用纳米级互连技术将DRAM晶圆和不同工艺晶圆在垂直方向上互联,实现对存储器的直接访问;通过定制的DRAM设计支持多种容量(64MB、128MB、256MB到8GB)和多种带宽;同时为不同的工艺提供标准化接口和测试IP,使SoC能够方便简单地集成。

依托开放式、定制化、平台式的合作模式,西安紫光国芯凭借多年的DRAM开发量产能力和SoC设计服务的能力,将帮助有大带宽、低功耗、高算力需求的客户迅速开发产品并推向市场。

关于西安紫光国芯

西安紫光国芯半导体有限公司前身为成立于2004年德国英飞凌西安研发中心的存储事业部,2006年分拆成为独立的奇梦达科技西安有限公司,2009年被浪潮集团收购转制成为国内公司并更名为西安华芯半导体有限公司。2015年再次被紫光集团收购并更名为西安紫光国芯半导体有限公司。

目前公司拥有超过500名员工。公司拥有掌握存储器和集成电路核心设计和测试技术的国际化团队。公司核心业务是存储器设计开发,存储器产品量产销售,以及专用集成电路设计开发服务,公司自成立以来,一直专注于存储器特别是DRAM存储器的研发和技术积累,产品持续量产销售到国内外,积累了良好的存储器/SoC的设计、测试、规模生产及全球销售等研发和产业化经验。

详情请访问公司官网www.unisemicon.com.cn

责编:Johnson Zhang

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