广告

【活动预告】09.27双箭齐发---蓉矽半导体碳化硅MOSFET线上发布会

时间:2022-09-23 作者:蓉矽半导体 阅读:
9月27日下午2点,蓉矽半导体将举行线上发布会,推出其自主研发的重磅新品——碳化硅NovuSiC® MOSFET(G1)和(G2)两款产品。它们有什么特性、优势,我们将在直播间为大家揭晓,并进行立体化展示! 

重磅新品:碳化硅NovuSiC® MOSFET(G1)和(G2)

碳化硅作为第三代半导体材料,具有较宽的禁带宽度、高击穿电场、高热传导率和高电子饱和速率的物理性能,具备耐高压、耐高温、开关速度快、开关损耗低等显著优势,可有效缩小电路板空间、降低物料成本、减少能源损耗。

对国内市场而言,功率MOSFET因其技术、工艺复杂性高,较大程度上依赖进口,加之新能源汽车、工控电源、光伏逆变等新技术应用及需求迅速增加,国产化替代空间十分广阔。

作为一家SiC新锐企业,成立于2019年的蓉矽半导体拥有一支掌握碳化硅核心技术的国际化团队,整合台湾与欧洲先进碳化硅制造工艺平台,结合大陆封测和应用解决方案,建立了材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链,独立自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件。点击查阅更多蓉矽产品详细信息

9月27日下午2点蓉矽半导体将举行线上发布会,推出其自主研发的重磅新品——碳化硅NovuSiC® MOSFET(G1)和(G2)两款产品。它们有什么特性、优势,我们将在直播间为大家揭晓,并进行立体化展示! 

扫描下方二维码,速来抢占直播间C位!

直播间丰厚礼品邀您领取

除了以上产品信息和满满的技术干货,我们还为蓉矽半导体微信公众号粉丝以及发布会观众准备了丰厚礼品——戴森吹风机、Apple HomePod mini、挂脖风扇,只等你来!

按以下步骤即可参与,心动不如行动:

1. 完成直播注册报名;

2. 扫描二维码,关注“蓉矽半导体公众号;

3. 进入公众号,回复“抽奖”获取抽奖链接;

4. 观看直播并截图(该截图将作为奖品兑换的重要依据,观看时还请手脑并用,戳戳戳~截图保存哦);

扫码关注“蓉矽半导体”公众号

参与抽奖!

我们将在当天直播的最后环节为大家现场抽出一、二、三等奖,届时请记得进入直播间关注动态哦。


关于成都蓉矽半导体有限公司

NOVUS SEMICONDUCTORS

成都蓉矽半导体有限公司成立于2019年,是四川省首家专注于宽禁带半导体碳化硅(SiC)功率器件设计与开发的高新技术企业。公司拥有一支掌握碳化硅核心技术的国际化团队,整合台湾与欧洲先进碳化硅制造工艺平台,结合大陆封测和应用解决方案,建立了材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链,独立自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件。

蓉矽碳化硅产品分为高性价比的“NovuSiC®”和高可靠性的“DuraSiC®”系列。产品涵盖碳化硅EJBS™ (Enhanced Junction Barrier Schottky)二极管与碳化硅MOSFET;硅基产品有175˚C高结温的理想二极管MCR®(MOS-Controlled Rectifier)及FRMOS(Fast Recovery MOSFET)。广泛应用于工控电源、工业电机、光伏逆变、储能、充电桩及新能源汽车等领域。

点击查阅相关产品详细信息

官网:http://novusem.com/ 

邮箱:sales@novusem.com

地址:成都市高新区和乐二街171号5栋15楼

销售:18208287494 刘先生(全国)
          13682472478 丁先生(华南)
          13826569082 吴先生(华东)

本文为EET电子工程专辑 原创文章,禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
您可能感兴趣的文章
  • 氮化镓将广泛用于下一代射频应用 如今,作为第三代半导体的宽带隙器件,氮化镓半导体技术已广为熟知。凭借其良好的CMOS兼容能力,GaN工艺可能实现高频、高功率GaN器件与高密度存储和数字逻辑电路的高度集成,从而推动包含射频收发器、现场可编程门阵列、处理器和存储器等功能的高频大功率系统级芯片的构建与实现。
  • 锡产微芯全资收购荷兰Ampleon  跃升全球第二大移动基站射频厂商 安谱隆是全球领先的射频芯片供应商,拥有50年运营经验,是全球通讯龙头的主要供应商。本次收购完成后,锡产微芯将直接跃升为全球第二大移动基站射频器件供应商,充分受益于全球5G建设浪潮和国产替代趋势。
  • 数字预失真技术的数学建模与物理实现 现代通信系统中,数字预失真已逐渐成为一项关键技术,这在基站数量成倍增加的5G系统中更为凸显。本文介绍数字预失真的数学基础知识、阐述了现代通信系统需要数字预失真的必然性、并探讨了数字预失真的数学建模及其硬件物理实现方法。
  • ESD&EOS产品特性简析,帮你避开保护盲区 科技产品永远不缺天马行空的想象,设计师们脑洞大开,创造了各种既炫酷又实用的高科技电子产品,让我们的生活更加便利和有趣。因此,创新是电子行业经久不衰的长期逻辑根基,而这背后支撑创新的引擎的则是半导体产业的频繁迭代和工艺技术升级。
  • 功率半导体的创新驱动下一代能源网络建设,构建可持续发展的未来 下一代高效能源网络将建立在具有存储能力的可再生能源之上,同时将非常有效地利用由电动汽车、变频电机和高效负载驱动的网络。出色的硅和 SiC 开关技术、高效可靠的封装和弹性供应链,是未来能实现净零排放的关键驱动力......
  • 借助高能效GaN转换器,提高充电器和适配器设计的功率密度 本文阐述了如何将英飞凌的CoolGaN™集成功率级(IPS)技术应用于有源钳位反激式(ACF)、混合反激式(HFB)和LLC转换器拓扑。采取这种方式可以更快速、更轻松地设计出充电器和适配器解决方案,以打造更小巧、更轻便的产品,或者虽尺寸相同但功率更高的产品,用于为设备快速充电,或用一个适配器为多个设备充电。
相关推荐
    广告
    近期热点
    广告
    广告
    可能感兴趣的话题
    广告
    广告
    向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了