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力科发布更精确的宽禁带半导体分析测量系统

时间:2022-11-21 作者:Teledyne Lecroy 阅读:
新的1 GHz探头、12位高精度示波器和测试软件相结合,为宽禁带半导体测试提高测量精度

新的1 GHz探头、12位高精度示波器和测试软件相结合,为宽禁带半导体测试提高测量精度

2022年4月12日 纽约 Chestnut Ridge– 力科宣布推出新的DL-ISO 1 GHz高压光隔离探头和功率器件测试软件,与高精度示波器 (HDO) 结合使用时,可提供准确的氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 功率半导体器件的电气特性表征。

三十多年来,工程师们一直在使用硅 (Si) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 功率半导体器件来生产电源和功率转换系统。然而,消费者需要体积更小、重量更轻的电源和系统,而政府要求更高的效率。宽禁带 (WBG) 材料,例如GaN 和 SiC,开关速度比 Si 快十倍以上,并且在提高效率的同时减小了尺寸和重量。工程师采用宽禁带半导体设计系统时,需要更大的测量带宽,以对半导体器件进行更准确和详细的分析。