近日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款新型30 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF5300DT和SiZF5302DT，将高边和低边TrenchFET® Gen V MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF5300DT和SiZF5302DT适用于计算和通信应用功率转换，在提高能效的同时，减少元器件数量并简化设计。
日前发布的双通道MOSFET可用来取代两个PowerPAK 1212封装分立器件，节省50%基板空间，同时占位面积比PowerPAIR 6x5F封装双片MOSFET减小63%。MOSFET为USB-C电源笔记本电脑、服务器、直流冷却风扇和通信设备同步降压转换器、负载点（POL）转换电路和DC/DC模块设计人员提供节省空间解决方案。这些应用中，SiZF5302DT高低边MOSFET提供了50%占空比和出色能效的优质效果，特别是在1 A到4 A电流条件下。而SiZF5300DT则是12 A到15 A重载的理想解决方案。
SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技术实现优异导通电阻和栅极电荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 V下典型导通电阻分别为2.02 m和2.93 m，SiZF5302DT相同条件下导通电阻分别为2.7 m和4.4 m。两款MOSFET 4.5 V条件下典型栅极电荷分别为9.5 nC和 6.7 nC。超低导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET功率转换应用重要优值系数（FOM），比相似导通电阻的前代解决方案低35 %。高频开关应用效率提高2%，100 W能效达到98%。
与前代解决方案对比
| 技术规格 / 器件编号 | SiZF5302DT(Gen V) | 前代解决方案(Gen IV) | SiZF5302DT对比前代解决方案 |
| 封装 | PowerPAIR 3x3FS | PowerPAIR 6x5F | 63 %↓ |
| VDS (V) | 30 | 30 | - |
| RDS(ON) 典型值@ 4.5 V (m) | 4.4 (通道1)4.4 (通道2) | 4.0 (通道1) 1.2 (通道2) | - |
| Qg @ 4.5 V (nC) | 6.7 (通道1)6.7 (通道2) | 11 (通道1)46 (通道2) | - |
| FOM (mΩ*nC) | 29 (通道1)29 (通道2) | 44 (通道1)54 (通道2) | 35 % ↓46 % ↓ |
| 能效@ 20 VIN / 12.5 VOUT / 800 kHZ / 100 W | 98 % | 96 % | 2 %↑ |
器件采用倒装芯片技术增强散热能力，独特的引脚配置有助于简化PCB布局，支持缩短开关回路，从而减小寄生电感。SiZF5300DT和SiZF5302DT经过100% Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
器件规格表：
| 产品编号 | SiZF5300DT | SiZF5302DT | |
| VDS (V) | 30 | 30 | |
| VGS (V) | + 16 / -12 | + 16 / -12 | |
| RDS(on) 典型值 (mΩ) @ | 10 V | 2.02 | 2.7 |
| 4.5 V | 2.93 | 4.4 | |
| Qg (典型值) @ 4.5 V (nC) | 9.5 | 6.7 | |
| ID (A) @ | TA = 25 °C | 125 | 100 |
| TA = 70 °C | 100 | 80 |
SiZF5300DT和SiZF5302DT 现可提供样品并已量产。
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