Qorvo® 发布 TOLL 封装的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs

3 月 21日，连接和电源解决方案供应商Qorvo^®宣布，将展示一种全新的无引线表面贴装 (TOLL) 封装技术，其高性能具体表现在：750V SiC FET 拥有全球最低的5.4 (mΩ) 的导通阻抗。这也是 Qorvo 公司 750V SiC FETs 产品 TOLL 封装系列中的首发产品，其导通电阻范围从 5.4 mΩ 到 60 mΩ。这些器件非常适用于空间极其有限的应用场景，如从几百瓦到千万瓦的交流 / 直流电源以及高达 100A 的固态继电器和断路器。有助于帮助客户减小体积尺寸，提高功率密度。

在 600 / 750V 这一层次电压功率 FETs 类别中，Qorvo 第四代 (Gen 4) SiC FETs 产品的主要性能：比如导通电阻和输出电容方面领先业界。此外，在 TOLL 封装中，Qorvo 的器件具有最低 5.4 mΩ 的导通电阻，比目前市场同类产品中最好的 Si MOSFETs、SiC MOSFETs 和 GaN 晶体管的导通阻抗还要低上 4-10 倍。SiC FETs 的 750V 额定电压也比其它的一些替代技术高100-150V，为客户产品应用中的开关管电压瞬变尖峰提供了更多的设计裕量。

Qorvo 电源器件事业部首席工程师 Anup Bhalla 表示：“在 TOLL 封装中推出我们的 5.4 mΩ Gen4 SiC FET 旨在为行业提供最佳性能器件以及多种器件选择，为此我们已迈出重要的一步，尤其对于从事工业应用的客户，他们需要这种灵活性和提升成本效益的电源设计组合。”

TOLL 封装与 D2PAK 表面贴装器件相比，尺寸减少了 30％，高度为 2.3mm，相当于同类产品的一半。尽管尺寸缩小，但先进的制造技术实现了行业领先的 0.1℃ / W热阻（从结到壳）。导通直流电流额定值最大为 120A，此时对应的壳温为 144℃，在 0.5 毫秒时间内，脉冲冲击电流最大值可以达到 588A。结合极低的导通电阻和出色的瞬态散热能力，Qorvo 的 750V TOLL 封装产品的“I2t”值比同一封装的 Si MOSFET 高出约 8 倍，有助于提高客户产品的鲁棒性和抗瞬态过载能力，同时也简化了设计。TOLL 封装还提供了开尔文连接以实现可靠的高速转换。

这些第四代 SiC FET 利用 Qorvo 独特的 Cascode 电路结构（即共源共栅），将 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装在一个器件内部，以发挥宽禁带开关技术的高效率优势和 Si MOSFET 简化的门级驱动的优势。

现在可使用 Qorvo 免费在线工具 FET-JET 计算 TOLL 封装的 Gen4 5.4mΩ SiC FET，该计算器可以立即评估各种交流 / 直流和隔离 / 非隔离的DC / DC转换器拓扑连接的效率、元器件损耗和结温上升。可将单个和并联的器件在用户指定的散热条件下进行对比，以获取最佳解决方案。