5 月 24 日，意法半导体发布了STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET，其拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on)，优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。
新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先进技术，引入氧化物填充沟槽工艺，集极低的导通损耗和低栅极电荷于一身，实现高效的开关性能。因此，STL120N10F8的最大导通电阻 RDS(on)为 4.6mΩ（在 VGS = 10V 时），高效运行频率达到600kHz。
STripFET F8技术还确保输出电容值可以减轻漏源电压尖峰，最大程度地减少充放电能量浪费。此外，这款MOSFET的体漏二极管的软度特性更高。这些改进之处可以减少电磁辐射，简化最终系统的合规性测试，确保电磁兼容性 (EMC)符合适用的产品标准。
STL120N10F8拥有卓越的能效和较低的电磁辐射，可以增强硬开关和软开关拓扑的电源转换性能。此外，这款产品还是首款完全符合工业级规格的 STPOWER 100V STripFET F8 MOSFET，非常适合电机控制、电信和计算机系统的电源及转换器、LED 和低压照明，以及消费类电器和电池供电设备。
新款MOSFET还有其他优势，其中包括栅极阈值电压(VGS(th))差很小，这个优势在强电流应用中很有用，可简化多个功率开关管的并联设计。新产品的鲁棒性非常强，能够承受 10µs的800A短路脉冲电流冲击。
The STL120N10F8 is in full production in the PowerFLAT5x6 package, priced from $1.04 for orders of 1000 pieces.
STL120N10F8采用 PowerFLAT5x6 封装，现已全面投产。
- Microchip、美光、Hailo是如何看待未来汽车市场？ “半导体全球化已死”是2023年张忠谋与克里斯米勒（Chris Miller）对谈时坦言的。自2020年新冠肺炎影响全球半导体产业供应链后，美国积极组建本土的半导体产业链，引进在全球晶圆代工领域最有影响力的台积电建设3nm先进工艺晶圆厂。在5月11日，由大联大控股和盖世汽车主办的《驶向未来，预约下一个十五·五驰骋世界》峰会上，微芯科技（Microchip）中国区汽车产品部产品市场经理 马春光分享了微芯科技制定的未来5年内/外部技术制造策略。
- 全球首款！基于CMOS工艺的国产化多频多模线性PA落地问世！ 射频PA是通信链路中至关重要的器件，负责将发射链路中的射频信号做最后的放大，输送到天线，也是整个通信链路中功耗最大的器件之一。5月18日，地芯科技将在上海发布这一款支持4G的线性CMOS PA！再度证明CMOS工艺应用于射频前端创新以及进入主流射频前端市场的可能性！
- 由于汽车和工业领域需求强劲，ST第一季度盈利超预期 2023年第一季度意法半导体的净收入同比增长 19.8% 至 42.5 亿美元，同时，公司的毛利率同比提高至 300 个基点，环比提高 220 个基点。ST预计2023年收入为170亿-178亿美元，比2022年增长5%-10%。2023年，来自SiC的收入预计约为12亿美元，到2024年，其基材的很大一部分将在内部采购。
- 国产碳化硅衬底材料崛起，英飞凌签约两家中国供应商 碳化硅（SiC）的广阔前景，让国内外半导体厂商看到了机遇，纷纷加大研发和投资力度。为满足中国市场在汽车、太阳能和电动汽车充电应用及储能系统等领域对碳化硅半导体产品不断增长的需求，并将推动新兴半导体材料碳化硅的快速发展，英飞凌日前与两家中国碳化硅材料供应商签订了长期供货协议。
- CMOS PA，二十载风雨浮沉往事 “缺芯少魂”一直悬在中国头上的“达摩克利斯之剑”。在中美半导体脱钩愈加明显的趋势下，叠加不断上升的万物互联需求，中国亟待走上国产化强“芯”之路。而CMOS PA一缕“微光”，或将在中华大地闪出一道耀眼的光芒。
- 顶部散热封装技术成JEDEC标准，高功率密度电源管理设计迎来突破 随着数据中心、宏基站等设备对于功率密度的要求越来越高，设备尺寸越做越小，开始要求电源应用的电路板设计中采用更少或不用独立散热片，同时把更多的热量均匀地散发到整个设备之外。贴片化是从带独立散热片的插件封装，走向更高功率散热的第一步。但这对于紧贴PCB表面的贴装器件（SMD）来说，很难做到……
- 热门评论
- 最新评论
