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Nexperia首款SiC MOSFET提高了工业电源开关应用的安全性、稳健性和可靠性标准

时间:2023-11-30 作者:Nexperia 阅读:
1200 V分立器件提供出色的性能,有助于加速全球能源转型

奈梅亨,2023年11月30日:基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件,RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品,随后Nexperia将持续扩大产品阵容,推出多款具有不同RDS(on)的器件,并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。这次推出的两款器件可用性高,可满足电动汽车(EV)充电桩、不间断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等汽车和工业应用对高性能SiC MOSFET的需求。

Nexperia高级总监兼SiC产品部主管Katrin Feurle表示:“Nexperia和三菱电机希望这两款首发产品可以激发更多的创新,推动市场涌现更多宽禁带器件供应商。Nexperia现可提供SiC MOSFET器件,这些器件的多个参数性能均超越同类产品,例如极高的RDS(on)温度稳定性、较低的体二极管压降、严格的阈值电压规格以及极其均衡的栅极电荷比,能够安全可靠地防止寄生导通。这是我们与三菱电机承诺合作生产高质量SiC MOSFET的开篇之作。毫无疑问,在未来几年里,我们将共同推动SiC器件性能的发展。”

三菱电机半导体与器件部功率器件业务高级总经理Toru Iwagami表示:“我们很高兴与Nexperia携手推出这些新型SiC MOSFET,这也是我们合作推出的首批产品。三菱电机在SiC功率半导体方面积累了丰富的专业知识,我们的器件实现了多方面特性的出色平衡。” 

RDS(on)会影响传导功率损耗,是SiC MOSFET的关键性能参数。Nexperia发现这也是造成目前市场上许多SiC器件的性能受限的因素,新推出的SiC MOSFET采用了创新型工艺技术,实现了业界领先的温度稳定性,在25℃至175℃的工作温度范围内,RDS(on)的标称值仅增加38%。

Nexperia SiC MOSFET的栅极总电荷(QG)非常低,由此可实现更低的栅极驱动损耗。此外,Nexperia通过平衡栅极电荷,使QGD与QGS比率非常低,这一特性又进一步提高了器件对寄生导通的抗扰度。  

除了正温度系数外,Nexperia的SiC MOSFET的器件间阈值电压VGS(th)也超低,这使得器件并联工作时,在静态和动态条件下都能实现非常均衡的载流性能。此外,较低的体二极管正向电压(VSD)有助于提高器件稳健性和效率,同时还能放宽对异步整流和续流操作的死区时间要求。 

Nexperia未来还计划推出车规级MOSFET。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0现已投入大批量生产。请联系Nexperia销售代表获取全套SiC MOSFET样品。

欲了解有关Nexperia MOSFET的更多信息,请访问:https://www.nexperia.com/sic-mosfets

关于Nexperia

Nexperia总部位于荷兰,是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司,目前在欧洲、亚洲和美国共有15,000多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者,Nexperia的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域,几乎为世界上所有电子设计的基本功能提供支持。 Nexperia为全球客户提供服务,每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率(如工艺、尺寸、功率及性能)方面成为行业基准,获得广泛认可。Nexperia拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品范围,并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001标准认证,充分体现了公司对于创新、高效、可持续发展和满足行业严苛要求的坚定承诺。

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