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美光开始量产行业领先的HBM3E解决方案,加速人工智能发展

时间:2024-03-04 作者:美光科技 阅读:
美光将于2024年3月出样12层堆叠的36GB容量HBM3E,提供超过1.2TB/s的性能和领先于竞品的卓越能效,从而进一步强化领先地位。

2024  3  4 日,中国上海 —— 全球内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)近日宣布已开始量产其 HBM3E 高带宽内存 解决方案。英伟达 H200 Tensor Core GPU 将采用美光 8 层堆叠的 24GB 容量 HBM3E 内存,并于 2024 年第二季度开始出货。美光通过这一里程碑式进展持续保持行业领先地位,并且凭借 HBM3E 的超凡性能和能效为人工智能(AI)解决方案赋能。

HBM3E推动人工智能革命

随着人工智能需求的持续激增,内存解决方案对于满足工作负载需求的增加至关重要。美光 HBM3E 解决方案通过以下优势直面这一挑战:

卓越的性能:美光 HBM3E 引脚速率超过 9.2Gb/s,提供超过 1.2TB/s 的内存带宽,助力人工智能加速器、超级计算机和数据中心实现超高速的数据访问。

出色的能效:美光 HBM3E 功耗比竞品 30% 处于行业领先地位。为支持日益增长的人工智能需求和用例,HBM3E 以更低功耗提供更大吞吐量,从而改善数据中心的主要运营支出指标。

无缝的可扩展美光 HBM3E 目前提供 24 GB 容量,使数据中心能够无缝扩展其人工智能应用。无论是用于训练海量神经网络还是加速推理任务,美光的解决方案都提供了必要的内存带宽。

美光执行副总裁暨首席商务官 Sumit Sadana 表示:“美光凭借 HBM3E 这一里程碑式产品取得了三大成就:领先业界的上市时间、引领行业的性能和出众的能效表现。人工智能工作负载在很大程度上依赖于内存带宽和容量。美光拥有业界领先的 HBM3E 和 HBM4 产品路线图,以及为 AI 应用打造的 DRAM 和 NAND 全套解决方案,为助力人工智能未来的大幅增长做足了准备。”

美光利用其 1β(1-beta)技术、先进的硅通孔(TSV)和其他实现差异化封装解决方案的创新技术开发出业界领先的 HBM3E 设计。美光作为 2.5D/3D 堆叠和先进封装技术领域长久以来的存储领导厂商,有幸成为台积电 3Dfabric 联盟的合作伙伴成员,共同构建半导体和系统创新的未来。

美光将于 2024 年 3 月出样 12 层堆叠的 36GB 容量 HBM3E,提供超过 1.2TB/s 的性能和领先于竞品的卓越能效,从而进一步强化领先地位。美光将赞助 3 月 18 日开幕的英伟达 GTC 全球人工智能大会,届时将分享更多前沿 AI 内存产品系列和路线图。

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