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CGD新型ICeGaN GaN功率IC使数据中心、逆变器和工业开关电源的实现超高效率

时间:2024-06-11 作者:CGD 阅读:
采用新型热阻增强封装的P2系列表现出超高的电气性能,支持具有挑战性的高功率应用,坚固可靠

2024 年 6 月 11日英国剑桥 - 无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效氮化镓(GaN)功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日推出采用新颖的芯片和封装设计的、超低导通电阻(RDS(on)) ICeGaN™ GaN 功率 IC ,将 GaN 的优势提供给数据中心、逆变器、电机驱动器和其他工业电源等高功率应用。新型 ICeGaN™ P2系列 IC RDS(on)低至25 mΩ,支持多kW功率应用,并提供超高效率。

ANDREA BRICCONI | CGD 首席商务官:

“人工智能的爆炸性增长导致能源消耗的显著增加,促使数据中心系统设计师优先考虑将 GaN 用于高功率、高效的功率解决方案。CGD这一新系列 GaN 功率 IC 支持我们的客户和合作伙伴在数据中心实现超过100 kW/机架的功率密度,满足高密度计算的最新 TDP(热设计功率)趋势的要求。在电机控制逆变器方面,开发人员正在使用 GaN 来减少热量,获得更小、更持久的系统功率。以上两个市场正是CGD ICeGaN 功率 IC 现在的目标市场。简化的栅极驱动器设计和降低的系统成本,再加上先进的高性能封装,使 P2 系列 IC 成为这些应用的绝佳选择。”

ICeGaN 功率 IC 集成了米勒箝位以消除高速开关过程中的击穿损耗,并实现了0V关断从而最大限度地减少反向导通损耗,其性能优于分立 eMode GaN 和其他现有技术。新的封装提供了低至0.28 K/W的改进的热阻性能,与市场上任何其他产品比较具有相当或更加优异的性能。其双面 DHDFN-9-1(双散热器 DFN)封装的双极引脚设计有助于优化 PCB 布局和简单并联以实现可扩展性,使客户能够轻松处理高达多kW的应用。经过设计新型封装不仅提高了产量,其侧边可湿焊盘技术,更便于光学检查。

用户现在可申请 CGD 新型 P2 系列 ICeGaN 功率 IC 样品。该系列包括四款 RDS(on) 产品为25 mΩ和55 mΩ,额定电流为60 A和27 A的产品。产品采用10 mm x 10 mm封装 DHDFN-9-1和 BHDFN-9-1(底部散热器DFN)封装。与所有CGD ICeGaN产品一样,P2系列可以使用任何标准 MOSFET 或 IGBT 驱动器进行驱动。

现有2款采用新型 P2 产品演示板可供展示:一款是 CGD 与法国公共研发机构 IFP Energies nouvelles 合作开发的单相变三相汽车逆变器演示板;另一款是3kW图腾柱功率因数校正演示板。

新型 P2 系列 ICeGaN™ 产品系列 GaN 功率 IC 和演示板将于2024年6月11日至13日在德国纽伦堡举行的 PCIM 展览上首次公开展示。CGD 的展位号为7-643。欢迎用户莅临参观和了解这些产品。

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