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英飞凌推出CoolGaN双向开关和CoolGaN Smart Sense,提高功率系统的性能和成本效益

时间:2024-07-10 作者:英飞凌 阅读:
CoolGaN™ BDS拥有出色的软开关和硬开关性能,提供40 V、650 V 和 850 V电压双向开关,适用于移动设备USB端口、电池管理系统、逆变器和整流器等。CoolGaN™ Smart Sense 产品具有无损电流检测功能,简化了设计并进一步降低了功率损耗,同时将各种晶体管开关功能集成到一个封装中,适用于消费类USB-C 充电器和适配器。

202479,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出两项全新的CoolGaN™产品技术:CoolGaN™双向开关(BDS)和CoolGaN™ Smart Sense。CoolGaN™ BDS拥有出色的软开关和硬开关性能,提供40 V、650 V 和 850 V电压双向开关,适用于移动设备USB端口、电池管理系统、逆变器和整流器等。CoolGaN™ Smart Sense 产品具有无损电流检测功能,简化了设计并进一步降低了功率损耗,同时将各种晶体管开关功能集成到一个封装中,适用于消费类USB-C 充电器和适配器。

CoolGaN™ BDS和CoolGaN™ Smart Sense

CoolGaN™ BDS高压产品分为650 V 和 850 V两个型号,采用真正的常闭单片双向开关,具有四种工作模式。该系列半导体器件基于栅极注入晶体管(GIT)技术,拥有两个带有衬底终端和独立隔离控制的分立栅极。它们利用相同的漂移区来阻断两个方向的电压,即便在重复短路的情况下也具备出色的性能,并且通过使用一个BDS代替四个传统晶体管,可提高效率、密度和可靠性,使应用能够从中受益并大幅节约成本。在替代单相H4 PFC、HERIC逆变器,和三相维也纳整流器中的背对背开关时,该系列器件能够优化性能,而且还可用于交流/直流或直流/交流拓扑结构中的单级交流电源转换等。

CoolGaN™ BDS 40 V是一款基于英飞凌肖特基栅极氮化镓自主技术的常闭单片双向开关。它能阻断两个方向的电压,并且通过单栅极共源极的设计进行了优化,以取代电池供电消费产品中用作断开开关的背对背 MOSFET。首款40 V CoolGaN™ BDS产品的 RDS(on) 值为 6 mΩ,后续还将推出一系列产品。相比背对背硅FET,使用40 V GaN BDS的优点包括节省50% - 75%的PCB面积、降低50%以上的功率损耗,以及减少成本。

CoolGaN™ Smart Sense产品具有2 kV静电放电耐受能力,可连接到控制器电流感应以实现峰值电流控制和过流保护。电流检测响应时间约为200 ns,小于等于普通控制器的消隐时间,具有极高的兼容性。

使用这些器件可提高效率并节约成本。与传统的150mΩ GaN晶体管相比,CoolGaN™ Smart Sense产品在RDSs(on) (例如 350 mΩ)更高的情况下,能以更低的成本提供类似的效率和热性能。此外,这些器件与英飞凌的分立 CoolGaN™ 封装脚位兼容,无需进行布局返工和 PCB 重焊,进一步方便了使用英飞凌 GaN 器件的设计。

供货情况

6 mΩ型号的CoolGaN™ BDS 40 V工程样品现已上市,4 mΩ和9 mΩ型号的工程样品将于 2024 年第三季度上市。CoolGaN™ BDS 650 V的样品将于2024年第四季度推出,850 V的样品将于2025年初问世。CoolGaN™ Smart Sense样品将于2024年8月推出。了解更多信息,敬请访问:https://www.infineon.com/cms/en/product/promopages/GaN-innovations/

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