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东方晶源PanGen DMC®完成验证 基于快速工艺反馈可提前发现版图潜在坏点

2024-09-18 阅读:
随着技术节点的演进,集成电路制造工艺本身变得越来越复杂,设计者愈发难以对工艺有全面、系统的认识,导致新产品在工艺端流片时需要反复迭代,经历长时间的Yield Ramping,增加了投产的成本,也延长了产品面市的时间。据麦肯锡统计,目前半导体行业内新产品从导入流片到量产,大概需要12 ~ 18个月反复迭代,进行良率提升。

随着技术节点的演进,集成电路制造工艺本身变得越来越复杂,设计者愈发难以对工艺有全面、系统的认识,导致新产品在工艺端流片时需要反复迭代,经历长时间的Yield Ramping,增加了投产的成本,也延长了产品面市的时间。据麦肯锡统计,目前半导体行业内新产品从导入流片到量产,大概需要12 ~ 18个月反复迭代,进行良率提升。

如果设计者能提前获得更多、更全面的工艺信息,则这个过程可以大大简化和加速,进而提升良率、降低成本。

东方晶源基于坚实的计算光刻平台PanGen®和丰富的产业实践经验,创新性的开发了PanGen DMC®(Design Manufacturability Check)产品,其内嵌D2C(Design To Contour)快速光刻反馈引擎,能够将FAB 全套OPC Recipe解决方案以AI模型的方式进行打包,从而使用户可以基于原始Design快速、精准估计该Design最终硅片上的形貌(Contour),进而提前预知设计版图存在的潜在风险。 

通过验证,预测误差小于1nm

在国内某先进节点FAB内实测结果表明,东方晶源PanGen DMC®在全芯片的尺度上预测结果与实际的差距在超过99%的版图位置上小于1nm,证明其搭载的D2C快速光刻反馈引擎能够准确的捕捉整套OPC Recipe的行为,给出和完整OPC Recipe非常接近的Contour结果。

缺陷捕获率超过90%

此外,随着工艺技术日趋复杂,仅仅靠抽象的规则很难将整套工艺的方方面面全都包括进去,因此一个设计版图在设计端通过了基于规则的DRC(Design Rule Check)检查并不意味着其可以在工艺端有良好的表现。而PanGen DMC®可以预估设计版图最终的光刻形貌,通过提前使用FAB 光刻签核的方式来给工艺端直接的反馈。在国内某先进节点FAB 内实测结果表明,针对Design上的严重缺陷,DMC能在其送入OPC 之前提前预判,Capture Ratio超过 90% 。 

助力可制造性提升

实际上,DRC检查只是告知一个非黑即白的是否违例的结论,一定程度的违例到底会在工艺端带来多大的影响无从得知。而PanGen DMC®基于模型能以非常可视化的方式将影响呈现给用户,帮助用户在实践中根据情况对违例处理进行权衡。因此,无论对制造端还是设计端,该产品都可以作为现有DRC(Design Rule Check)工具非常有力的补充,在尊重客户已有工作流程的基础上,帮助客户于DRC检查之外更全面的发现版图在工艺可制造性方面的风险,从而加速迭代、降低时间成本,使芯片新产品在流片过程中能更快拉升良率,更早推向市场。

截止目前,东方晶源计算光刻平台PanGen® 已经形成八大产品矩阵,包括Model、DRC、SBAR、OPC、LRC、DPT、SMO、DMC,具备完整的计算光刻相关EDA工具链条。此外,PanGen®平台既具有适用于成熟工艺节点的OPC优化功能,同时也是首款具有CPU+GPU混算构架的全芯片反向光刻(ILT)功能的掩模优化工具,具备应用于先进制程节点的关键技术。PanGen DMC®的研发及验证,将进一步夯实东方晶源在计算光刻领域的技术完整性和领先性,为业界带来更加全面、前瞻的计算光刻解决方案。

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