法国索菲亚·安提波利斯,2025 年 5 月 15 日 │全球碳化硅功率半导体专利布局正呈现加速态势。据 KnowMade 最新发布的《2025 年第一季度碳化硅专利监测报告》显示,本季度全球新增 SiC 相关专利家族达 840 余项,其技术布局高度集中于碳化硅 MOSFET 结构设计领域。
专利格局新变化及动态深度解析
报告指出,日本电子巨头东芝(Toshiba)在本季度显著加快了 SiC 功率器件的专利布局节奏,专利申请数量与中国领先企业泰科天润持平。值得关注的是,泰科天润已连续四个季度稳居全 球 SiC 专利申请量榜首,其技术布局高度聚焦于 SiC MOSFET 器件结构创新。
在专利授权方面,本季度首次获得授权的专利家族超过 420 项。专利持有人排行显示,电装/丰田(Denso/Toyota)、富士电机(Fuji Electric)、住友电工(Sumitomo Electric)、三菱电机(Mitsubishi Electric)等五家日系企业与泰科天润共同占据第一梯队。中国企业的强势表现主要得益于大量实用新型专利的集中申请。
最新季度报告中,罗姆半导体(Rohm Semiconductor)、Wolfspeed、东芝和意法半导体被列为四大重点知识产权领导者进行深度分析。
此外,2025 年第一季度,SiC 专利领域迎来了 15 家以上的新玩家(即首次公开与SiC 相关专利的实体),其中逾六成为中国企业。
其他关键动态:
全产业链创新动态速览
衬底材料:山东天岳先进科技(SICC)持续保持在碳化硅衬底领域的高频专利申请,稳居技术前沿。作为少数在中国以外积极开展碳化硅专利布局的本土企业,SICC 最新的PCT 申请聚焦于通过控制残余应力与优化应力分布,提升大尺寸 SiC 晶圆的结晶质量。这一进展为高可靠性功率器件的基础材料提供了重要支撑。
器件设计:在碳化硅器件层面,多家企业和研究机构呈现出多元化的技术探索:
应用创新:应用端专利以中国研究机构为主,重点聚焦以下几大典型场景:
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