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AOS推出DFN3.3x3.3源极朝下(Source Down)封装25V MOSFET,专为AI服务器电源优化

2025-06-20 AOS 阅读:
专为高功率密度应用而设计的 DFN3.3x3.3 源极朝下封装,采用创新的栅极中置布局技术,可大幅简化 PCB 走线设计

 

 

日前,集设计研发、生产和全球销售为一体的著名功率半导体及芯片解决方案供应商 Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS, 纳斯达克代码:AOSL)推出采用DFN3.3x3.3源极朝下Source Down封装技术的AONK40202 25V MOSFET。该产品专为高功率密度DC-DC应用设计,可完美满足AI服务器和数据中心电源系统严苛需求。AONK40202的创新源极朝下封装技术使源极与PCB有较大的接触面积从而优化散热与电气性能,同时其栅极中置布局简化了PCB上走线设计,最大限度地减少栅极驱动器连接进一步提升能效与系统可靠性。

 

AONK40202 MOSFET 具有出色的电流处理能力,其采用带夹片Clip的 DFN3.3x3.3 源极下封装技术,可提供高达 319A 的持续电流,最高结温高达 175°C。这一设计为系统级性能带来显著提升,不仅能优化散热表现还可实现更高的功率密度和能效水平

 

AOS MOSFET 产品市场资深总监 Peter H. Wilson 表示:“AONK40202 采用创新的 DFN3.3x3.3 源极Source Down封装技术,相比传统的漏极Drain Down封装解决方案,降低功率损耗和提升散热性能方面表现更出色。该器件凭借更低的导通电阻(RDS(on))和增强的散热性能,为工程师提供了优化PCB空间利用率的关键技术优势AONK40202的这些创新特性正是为应对AI服务器日益增长的功率密度需求提供理想解决方案”。

技术亮点

 

Part Number Package VDS (V) VGS (±V) TJ(°C) Continuous Drain Current (A) Pulsed Drain Current (A) RDS(ON) Max (mOhms) @10V
          @25°C @100°C @25°C  
AONK40202 DFN3.3x3.3B 25 12 175 319 224 644 0.7

 

-more-

报价与供货

 

AONK40202 现已正式量产,可立即供货,交期为 14-16 周。1000颗起订,单价为 1.65 美元。

关于AOS

 

Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS,中文:万国半导体) 是专注于设计、开发生产与全球销售一体的功率半导体公司,产品包括Power MOSFET、SiC、IGBT、IPM、TVS、高压驱动器、功率IC和数字电源产品等。AOS积累了丰富的知识产权和技术经验,涵盖了功率半导体行业的最新进展,使我们能够推出创新产品,满足先进电子设备日益复杂的电源需求。AOS的差异化优势在于通过其先进的分立器件和IC半导体工艺制程、产品设计及先进封装技术相结合,开发出高性能的电源管理解决方案。AOS 的产品组合主要面向高需求应用领域,包括便携式计算机、显卡、数据中心、AI 服务器、智能手机、面向消费类和工业类电机控制、电视、照明设备、汽车电子以及各类设备的电源供应。请访问AOS官网 ,了解更多产品相关信息。

前瞻性陈述

 

本新闻稿包含基于当前预期、估计、预测和未来表现的管理层判断、信念、当前趋势和预计产品表现的前瞻性陈述。这些前瞻性陈述包括但不限于,提到新产品的效率和能力以及扩展到新市场的潜力。前瞻性陈述涉及的风险和不确定性可能导致实际结果与前瞻性陈述中的内容存在重大差异。这些因素包括但不限于,产品在量产中的实际表现、产品的质量和可靠性、我们能否赢得设计订单、整体商业和经济状况、半导体行业的状况以及其他在公司年报和向美国证券交易委员会提交的其他文件中描述的风险。尽管公司认为前瞻性陈述中反映的预期是合理的,但无法保证未来的结果、活动水平、表现或成就。您不应过度依赖这些前瞻性陈述。除非另有说明,本新闻稿中提供的所有信息均为截至今天的日期,AOS不承担除法律要求外的更新义务。

 

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