在集成电路中,电容主要用于电源去耦、时序控制、滤波与平滑、存储与记忆以及调谐与振荡等多种功能,它们通过提供瞬态电流、控制时序逻辑、过滤噪声和纹波或与电感器共同作用于谐振电路,确保了信号处理的精确性和系统的稳定性。
构成一个电容的条件是两块电极板加上中间填充绝缘介质,决定电容大小的一个重要参数为两块极板的重叠面积。CMOS工艺芯片中常见的电容类型有双多晶电容、MOS电容、金属叉指电容、金属层间电容等。
顾名思义,双多晶电容由两层多晶分别作为两极,因此只有在双多晶工艺中才能实现。
双多晶工艺是一种在集成电路制造中采用的特殊工艺,通过交替淀积两种不同类型的多晶硅,形成上下极板来生产电容器。
该工艺虽然在精确控制电容值方面具有优势,但因其增加了额外的制造步骤而导致成本上升。随着半导体技术的进步,双多晶电容器因其卓越的性能和可靠性而得到广泛应用。
双多晶电容通常会在染色层留下痕迹,两层多晶中的下层多晶和下面的衬底之间的氧化层很薄,很难处理干净,导致在染色层留下残留。
本节向大家展示的是来自于放大器模块中的双多晶电容。该放大器模块来自于IPBrain产品课堂数据库中的👈芯片。
图片红框中的电容用于给放大器的共源级结构提供频率补偿。
将MOS管的源漏、衬底连在一起,或者直接将MOS管的源漏,甚至衬底做成一个极板,都能形成MOS电容。基本上,只要是利用多晶和DIFF之间的寄生电容来做的电容,都称为MOS电容。
有一种MOS电容就是一个MOS管,非常好辨认,提取时可以框成MOS管,也可以框成电容。
还有一种MOS电容不是一个MOS管,它的所有的DIFF是连在一起的,这种MOS电容实质上是MOS管的变形。
本节向大家展示的是来自于放大器模块中的MOS电容。该放大器模块来自于IPBrain产品课堂数据库中的👈。
图片红框中的电容主要起到电源去耦的作用,减少电源电压波动对电路的影响。
随着工艺间距越来越小,金属间的间距也越来越小,很多芯片中使用了金属电容。
金属叉指电容是利用金属的侧壁间的电容来构建的,这样很多的金属连在一起,形状犹如交叉的手指,故称为金属叉指电容。
除上图中所示参数外,通常还加上一个参数N,表示叉指的根数,上图中N=3。
金属叉指电容不需要使用特定的材料制成,而是就地取材,利用芯片中本来就有的金属走线进行制作,因此有很大的任意性,同一个芯片中,金属电容所用的层数,堆叠方式可能有很大差异。
本节向大家展示的是来自于放大器模块中的金属叉指电容。该放大器模块来自于IPBrain产品课堂数据库中的👈。
图片红框中的电容用于给放大器的共源级结构提供频率补偿。
金属层间电容的下极板是金属走线,上极板通常不是金属走线,而是某种连接到上层金属的中间层材料,如下图所示,因此将其命名为金属层间电容实际是不严谨的。
金属层间电容通常会使用最上面的两层金属层,目的是让电容远离噪声比较大的其他器件以及衬底,得到一个比较理想的器件,当然这个也不是绝对的,也有些工艺是使用中间金属层做电容的。
金属层间电容还有一个好处是,下层还可以做器件,充分利用芯片面积。
本节向大家展示的是来自于放大器模块中的金属层间电容。该放大器模块来自于IPBrain产品课堂数据库中的👈。
图片红框中的电容用于开关电容放大器中,起信号采样和频率响应控制作用。
铛铛铛!敲黑板。干货总结时间来了,做好课后笔记,复习没烦恼!
想获取更多产品课堂中学习资源的朋友们可以联系IPBrain@cellixsoft.com或致电010-62901860-639/609/611咨询细节呦。