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什么是氮化镓,联想发布65W双口GaN充电器选用GaNFast充电技术

时间:2021-04-23 15:48:27 阅读:
现在充电器也是多种多样类的,普通的也就我们常见的最为普通,今天给大家分享的是这种叫化镓充电器。应该还有不少读者朋友还不了解氮化镓充电器是怎么回事,它的好处,具有充电速度更快、体积更小、重量更轻以及功率更大的优势,关键是发热量降低至25%以上,所以各大品牌几乎都开始研发氮化镓GaN充电器了。
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现在充电器也是多种多样类的,普通的也就我们常见的最为普通,今天给大家分享的是这种叫化镓充电器。应该还有不少读者朋友还不了解氮化镓充电器是怎么回事,它的好处,具有充电速度更快、体积更小、重量更轻以及功率更大的优势,关键是发热量降低至25%以上,所以各大品牌几乎都开始研发氮化镓GaN充电器了。

关于GaN的知识

GaN,氮化镓,英文名称Gallium nitride,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中,例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管,可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器(Diode-pumped solid-state laser)的条件下,产生紫光(405nm)激光。

什么是GaN

GaN常见的两种晶体结构

3mm长度的GaN晶体

GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场,是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前,随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破,成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管(MESFET)、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管(MODFET)等新型器件。调制掺杂的AlGaN/GaN结构具有高的电子迁移率(2000cm2/v·s)、高的饱和速度(1×107cm/s)、较低的介电常数,是制作微波器件的优先材料;GaN较宽的禁带宽度(3.4eV) 及蓝宝石等材料作衬底,散热性能好,有利于器件在大功率条件下工作。

联想发布65W双口GaN充电器

4月22日晚,联想举办YOGA×小新春季新品发布会,YOGA系列带来了YOGA 5G和YOGA Duet 2021两款笔记本产品,同时还发布了一款YOGA CC65双口GaN充电器,原价149元,首发仅119元。

该65W双口氮化镓,通过联想实验室三十多项专业测试,真兼容,真安全,真长寿,笔记本/手机/平板通用,并赠送1.5米C-C数据线。

其查采用双USB-C接口,可支持两部设备同时快充,其中USB-C1口支持最高65W输出、USB-C2口支持最高18W输出,双口输出总共63W。

支持PD 3.0及PPS协议、支持QC 3.0协议,兼容联想小新/YOGA笔记本产品,兼容其他支持PD充电的笔记本。

不同于其他第三方充电器,YOGA CC65双口GaN充电器真正为笔记本长时间插电使用场景优化,单次全功率工作可达8700小时以上,在高海拔低气气压环境下仍能稳定可靠运行。

设计方面,YOGA CC65选用来自纳威半导体的GaNFast充电技术,拥有小体积高集成度的特性,带来更低的功率转换损耗和更好的温控水平。

体积仅0.075L,重103g,温润如玉的外观,不用担心变色,长久如新。

充电头与数据线分离设计,线材不易折断,收纳更为便捷。而且可折叠插脚经过加固,配合调优的重心分配,插墙稳定不掉落。

 

责编:editorAlice

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