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PLC闪存技术之后,铠侠将进攻HLC和OLC

时间:2021-07-31 18:19:23 阅读:
目前闪存、SSD市场上主流的是TLC、QLC闪存技术,经过多次迭代后,闪存厂商铠侠(原东芝存储)表示研发下一代的闪存技术。
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说起来,SSD和机械硬盘,提升容量的方式有些相似,前者主要靠提高每单元存储的电位数量和增加堆叠层数,而后者则是靠增大盘片容量和盘片数。

闪存颗粒的演进我们已经看在眼里,MLC SSD已经基本在消费市场绝迹,目前主要是TLC尤其是QLC打天下。

所谓QLC就是每单元存储4个电位,而取代它的将是存储5电位的PLC(penta level cell)。

实际上,铠侠(原东芝存储)早在2019年就投入了PLC闪存技术的研究。铠侠最近披露表示,PLC之后,还有存储6电位的HLC(hexa level cell)和存储8电位的OLC(octa level cell)。

因为要存储多个电位,就需要不同的电压状态,QLC是2的4次方,也就是16个电压状态,PLC是32个,相应地,HLC需要多达64种电压状态,这对主控将是极大的考验,毕竟64种电信号不能相互干扰。虽然市场上的主流 SSD 还是 TLC 或者 QLC,但是目前闪存厂商都开始尝试研发下一代的闪存产品了。

尽管难度高,但HLC的存储密度毕竟比QLC高出50%,对厂商的诱惑还是很大。

经过如此变态的处理后,铠侠研发人员实现了维持 100 分钟的每存储单元 6 位元数据读取、写入,而且耐用度达到了 1000 次循环。当然,这离不开零下 196 摄氏度的助力。据估计,如果是常温下的话,耐用度会降低一个数量级,跌到 100 次循环。

HLC 和 QLC 相比提高了 50% 的存储密度,相比于 PLC 只提升了 25%,HLC 在商业上具有更高的实现价值。除此以外,铠侠还认为 OLC 或者说 8LC 在技术上也是存在可能性的,目前的主要问题是寻找合适的材料、设计以及主控,最终也许可以让 6LC 和 8LC 在商业上也有可行性。

当然,大家不用太担忧,因为HLC时代,存储容量将非常夸张,堆叠层数也会在600~1000次甚至更多,这意味要写满一次SSD,需要的时间并不会比现在的TLC、QLC明显差很多。

责编:editorAlice

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