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三星量产DDR5内存, 14nm EUV领先美光、SK海力士

时间:2021-10-12 22:13:05 阅读:
三大(美光、SK海力士、三星)DRAM大厂都已进攻EUV工艺,前两者都早于三星实现了量产,三星此时才宣布量产的优势在哪些方面?
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三大(美光、SK海力士三星DRAM大厂都已进攻EUV工艺,前两者都早于三星实现了量产,三星此时才宣布量产的优势在哪些方面?

三星电子12日宣布,已开始量产14nmDRAM,这是业界最先进的紫外(EUV)工艺。主导DRAM市场的三星电子,其战略是扩大技术差距并超越竞争对手。三星电子这次开始量产的工艺是将EUV应用于14纳米的 5 层。EUV的应用通过实现更详细的半导体电路实现,有助于提高性能和良率。三星电子的14纳米DRAM应用了 5 层EUV工艺,具有业界最高的晶圆密度,与上一代相比,生产率提高了约20%,功耗降低了约20%。

三星首款14纳米DRAM

“通过开拓关键的图案(key patterning)技术,三星活跃全球DRAM市场近三十年”三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术主管Jooyoung Lee表示,“如今,三星正通过多层EUV技术,树立了一座新的技术里程碑,实现了更加微型化的14纳米工艺,而这也是传统氟化氩(ArF)工艺无法做到的在此基础上,三星将继续提供极具差异化的内存解决方案,充分满足5G、人工智能和元宇宙等数据驱动的时代对更高性能和更大容量的需求”

随着DRAM工艺不断缩小至10纳米范围,EUV技术变得越来越重要,因为它能提升图案准确性,从而获得更高性能和更大产量通过在14纳米DRAM中应用5个EUV层,三星实现了自身最高的单位容量,同时,整体晶圆生产率提升了约20%此外,与上一代DRAM工艺相比,14纳米工艺可帮助降低近20%的功耗

根据最新DDR5标准,三星的14纳米DRAM将有助于释放出之前产品所未有的速度:高达7.2Gbps,比DDR4的3.2Gbps快两倍多

三星计划扩展其14纳米DDR5产品组合,以支持数据中心、超级计算机和企业服务器应用另外,三星预计将其14纳米DRAM芯片容量提升至24Gb,以更好满足全球IT系统快速增长的数据需求

此前,美光于今年1月宣布10nm级第4代(1a)DRAM量产成功,SK海力士也于7月开始量产应用EUV的1aDRAM。虽然他们没有指明具体数字,但业界将SK海力士和美光都视为14纳米级DRAM。美光没有应用EUV,而SK海力士只在一层应用了EUV。三星电子虽然量产有点晚,但通过拉大技术差距,在未来的DRAM竞争中获得了优势。特别是基于14纳米工艺和高成熟度EUV工艺技术,实现差异化性能和稳定良率,是引领DDR5DRAM普及的战略。根据市场研究公司Omdia的数据,三星电子今年第二季度的DRAM市场份额为43.2%,是前三名公司中唯一比第一季度增长的公司。三星电子的市场份额比第一季度增长了2.0%,比去年同期增长了1.1%。一位半导体行业人士表示,“随着工艺的精细化,降低成本的难度越来越大。”“即使是0.1纳米的差异也可能导致竞争力的巨大差异,因为在性能、每片晶圆的方向性、数量上存在差异。

责编:editorAlice

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