LPDDR5+UFS3.1将成旗舰手机标配

ittbank 2020-02-28 00:00

疫情阴霾不改技术创新热情,各大手机品牌均开展线上宣传, 5G手机大战已然开启。回顾近期新机的发布,LPDDR5+UFS3.1成为今年上半年旗舰手机的顶级配置。与此同时,铠侠和西部数据顺势推出UFS3.1产品,三星也宣布正式量产业内首款16GB LPDDR5。



铠侠UFS3.1产品开始送样,手机闪存配置进一步升级


在2月JEDEC推出UFS3.1标准后西部数据率先推出UFS 3.1产品iNAND MC EU521,写入速度高达800Mb/s。本周,铠侠也宣布开始出样UFS 3.1嵌入式Flash闪存芯片。


铠侠的UFS3.1基于BiCS 3D技术打造,容量包括128GB、256GB、512GB和1TB,较西部数据EU521丰富,主控和闪存都按照规范要求封装在11.5mm x 13mm的尺寸之内。关于性能,铠侠表示写速是UFS 3.0的2~3倍,连续读速比UFS 3.0提升30%,并引入HPB改善随机读取性能,睡眠模式下功耗更低,温度过高时可主动降低性能避免损坏元件。


自一加7 Pro打响UFS3.0的号角,从2019年下半年开始UFS3.0普遍应用于各大中高端旗舰手机上。而今年进一步升级,iQOO 3 5G在25日全球首发UFS 3.1闪存(三星提供)。


2019~2020年部分手机新品及其存储配置

来源:中国闪存市场ChinaFlashMarket不完全统计


相较于UFS3.0,UFS3.1的理论速度依然为23.2Gbps,但引入三个新特性,包括写入增强器(Write Booster)、深度睡眠(Deep Sleep)和性能调整通知(Performance Throttling Notification),以及支持UFS主机性能增强器(HPB,Host Performance Booster)扩展。Write Booster带来最大程度的顺序写入速度提升,HPB能够进一步提升长时间使用后的随机读取性能。


分析显示,小米10 Pro的闪存配置为UFS3.0+Turbo Write ,Realme X50 Pro 的闪存配置为UFS3.0+Turbo Write+ HPB,均较标准版UFS3.0有所升级,与UFS3.1标准基本一致。


三星量产业界首款16GB LPDDR5,三大厂商竞争愈演愈烈


从2012年的LPDDR3、2014年的LPDDR4到2016年的LPDDR4x,DRAM技术在不断发展和更迭,为满足5G智能手机对高容量和高性能的要求,LPDDR5也在今年顺利实现商用,成为5G旗舰手机的标配。


目前在高度垄断的DRAM市场上,全球仅有三星、SK海力士、美光进入LPDDR5领域竞争角逐:

  • 美光在2月6日宣布已交付全球首款量产的LPDDR5;

  • SK海力士表示已将新款LPDDR4X的频率提高到4667MHz,LPDDR5将从5500MHz起步,并在今年CES2020上展出了LPDDR5产品;

  • 三星早在2018年就开始向LPDDR5标准过渡,依次开发出10nm级8Gb/12Gb/ 16Gb LPDDR5。与此同时其新一代旗舰智能手机Galaxy S20系列也在全球首发LPDDR5。


三星在2月25日宣布专为下一代旗舰智能手机的16GB LPDDR5已经开始量产,而这也是目前首款16GB大容量手机内存,进一步拓宽手机内存容量配置上限。


据三星介绍,16GB LPDDR5速率可达5500Mb/s,接近于上一代LPDDR4X(4266 Mb/s)的1.3倍。而相较于单封装8GB LDDR4X,16GB LPDDR5在容量增加一倍的同时功耗可减少20%。三星16GB LPDDR5是基于第二代10nm级工艺(1Ynm)打造,由8颗12Gb芯片和4颗8Gb芯片封装而成,以满足下一代旗舰智能手机对容量和性能的要求,更好应对未来5G和AI的发展。

据悉,三星将在其平泽工厂持续扩大LPDDR5的生产,预计今年下半年将大规模量产基于第三代10nm级工艺(1Znm)的LPDDR5产品,并提供6400Mb/s的速率,达到LPDDR5的设计极限速率。

 

来源:三星


高通的骁龙865处理器目前已经可以支持UFS 3.1和LPDDR5,而随着VIVO推出搭载骁龙865+UFS 3.1 +LPDDR5的旗舰机 iQOO3,带来读取、写入以及续航等方面的大幅提升,预计LPDDR5+UFS3.1将定义2020年旗舰手机顶级配置,更多手机品牌厂商有望跟进推出搭载LPDDR5+UFS3.1的手机。


来源:中国闪存市场


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