中科院EUV光刻机新消息,结局基本清晰了

半导体工艺与设备 2022-08-09 07:00

也许你在用的电脑,所用芯片的工艺还是14纳米,但是现在的芯片制造工艺,已经推进到了3纳米。

而且,芯片工艺的推进速度,还没有看到减慢的迹象,例如台积电近日就宣布,其3纳米研发团队,开始向1.4纳米进发。

制造工艺这么先进的芯片,离不开精良的设备,也就是EUV光刻机,正如大家所了解的,我们还无法进口这款设备。

因此即使是5纳米芯片,大陆中企晶圆厂也无法进行实验性的量产。

很显然,如果要打破这样的局面,基本就是两个办法。

第一个,寄希望ASML可以获得授权,开放向我们供货,但是这个选择就显得太被动了,如果迟迟不开放,那岂不是我们永远都无法制造先进工艺的芯片了。

所以第二种办法更靠谱一些,也就是自主研发。

相信有的朋友还记得,在2020年的时候,中科院院长白崇礼曾经表示,将会解决一批卡脖子的问题,其中光刻机就赫然在列,当然,这里指的就是EUV光刻机。

当时不禁有网友表示,ASML研发EUV相关的技术有二十多年历史,我们则刚宣布要解决这个问题,是不是有点不太现实了。

那么真的如此吗?其实不然。

实际上,中科院早就开始了在EUV方面的技术研发,而ASML方面其实也传出消息,EUV光刻机的“大门”正在向中企打开了,结局已经基本清晰了。

可能很多朋友不知道,在某个科技领域要计划实现突破,甚至国产替代,不是马上组织实施,给资金、给团队、给资源等就可以解决的,这需要很多的积累,其中非常重要的就是专利积累。

这是因为,如果你没有申请到足够的专利,那么在以后的设备研发上,很可能你就会侵权。

ASML在光刻机领域已经很强大了吧,但是ASML依然需要在专利方面深耕,例如在2019年,ASML就向尼康支付了1.5亿欧元的专利诉讼和解费用。

在更早的2007年,ASML还与佳能进行了专利方面的交叉授权。

因此如果没有一定的专利积累,将会很难在这个领域立足。

而我们发现,中科院早在2002年就开始研发EUV方面的技术,并且已经申请了专利。

可以看到,在2002年6月24日,中科院光电院就申请了一项“自适应全反射极紫外投影光刻物镜”的专利。

在专利的摘要解析当中明确指出,该专利技术用于EUV光刻机当中。

但中科院的努力可不止这些,除了上面我们谈到的中科院光电院,还有中科院长光所、上光所、微电子所和高能物理研究所等。

其中已经申请的EUV专利上百项,就在今年的三月份,则刚刚公开了一项新的EUV专利,申请方为中科院上光所。

由此可见,在白院长2020年宣布要解决卡脖子的EUV光刻机时,其实中科院方面早就努力了至少18年的时间。

很显然,多年的专利积累,已经为我们实现EUV光刻机走向量产,做好了一条护城河。

而且我们也注意到,近年来,中科院方面开始面向所内外甚至国际上,招募EUV方面的人才。

这似乎表明,我们的EUV光刻机开始进入从实验室阶段向工厂阶段迈进,从理论阶段开始走向实践阶段了。

总之我们看到,中科院在EUV专利方面很有优势,剩下的工作主要就是将我们的理论变成现实,因为已经可以开始进行期待了,这也是为什么说,EUV光刻机的“大门”正在向中企打开。

那么大家认为,大概什么时候,我们的国产EUV光刻机可以到来呢?欢迎评论区留言、讨论、点赞和转发。

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