SiC成本可降80%?5家企业进入这个领域

原创 第三代半导体风向 2022-08-09 18:00

目前,SiC衬底有多个环节可以降低成本,其中包括高纯碳化硅源粉。根据同光半导体总工程师杨昆透露,国外高纯碳化硅多晶原料“一千克至少1万元”,而自己制备的成本仅为进口粉料的20%以下。
为此,天岳先进、天科合达、烁科晶体等国内SiC衬底企业都在自主制备粉料,不仅可以大幅降低成本,也能够更好地控制晶体质量。
而受市场需求拉动,许多企业也在介入生产碳化硅源粉,据“行家说三代半”不完全统计,仅5家企业合计投资就超12亿元,以建设高纯碳粉相关项目。
冠岚投资500万元
将研发碳化硅粉料
7月20日,张家港市人民政府发布苏州冠岚新材料有限公司碳化硅实验室项目环评受理公示。

根据环评文件,该碳化硅项目总投资500万元,计划开展合成碳化硅粉料的工艺和设备的研究和开发。
而且,该项目研发工艺来源于湖南大学,目前已经在湖南大学完成了小试和中试,并有中试报告。
湖南顶立科技
已完成高纯碳粉中试线建设
据长沙经开区2月16日报道,顶立科技2022年开年大约获得了4个亿的订单,重点项目也有10多个,并顺利完成了10吨/年高纯碳粉中试线建设。
据“行家说三代半”此前报道,顶立科技掌握了将5N及以下的C粉提纯到6N及以上的技术,其碳含量达到99.9999wt%,同时还与国内的头部企业达成了合作。顶立科技有限公司生产保障部部长肖伟飞表示,今年公司的发展势头很好,预计营收将会比去年增长40%左右。
据顶立科技透露,他们还计划用三年时间,建设中试线5条,年产碳化硅单晶生长设备200台

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金博联手天科合达
研发高纯碳化硅粉料
4月8日,金博股份宣布,他们与天科合达达成了战略合作意向,签署了为期5年的《战略合作协议》,双方将共同研发碳化硅所需的高纯热场材料、高纯保温材料、高纯粉体材料
金博股份表示,他们将按照天科合达提出的技术要求,深入研究开发满足天科合达要求的高性价比高纯热场、高纯保温、高纯粉体材料与产品。而本次战略框架协议的签署,有利于其公司产品在第三代半导体领域的推广和应用。
中科钢研投资10亿元
建设碳化硅粉料项目
今年3月,菏泽市开发区公布了中科钢研国宏中微高纯碳化硅粉体新材料项目的详细情况。
据“行家说三代半”此前报道, 中科钢研国宏中微高纯碳化硅粉体新材料项目由国宏中宇投资建设,计划总投资10亿元,其中固定资产投资过8亿,主要进行第三代半导体高纯碳化硅粉体的研究、成果转化和生产。
该项目分两期建设,一期预计今年8月份投产,二期预计2023年6月份投产,全部达产后年生产导电型碳化硅粉体57600千克,高纯半绝缘粉体44640千克,实现年产值15.13亿元、利润2.6亿元、税收1亿元,新增就业320人。
润泽半导体投2.65亿
建设高纯碳粉制备项目
2021年8月,甘肃锦威环保公司官网发布了“东乡县达板镇第三代半导体新材料高纯碳粉制备项目环境影响评价第二次公示”。
根据环评文件,该高纯碳粉制备项目总投资为2.65亿元,年产高纯碳粉(99.999%)300t。
公开资料显示,润泽半导体成立于2021年3月1日,主营业务包括高纯碳粉 99.999%、高纯硅粉99.999%、第三代半导体晶圆、石墨烯等的生产及销售。

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