6.5亿元、4.5亿元！国内多个SiC项目公布新进展

原创第三代半导体风向 2023-02-06 16:23 206浏览 0评论 1点赞

近日，位于浙江市、北京市的3个碳化硅项目均获得喜人进展：

清纯半导体：研发基地正式启用，具备支撑月产近千万颗碳化硅器件的测试及筛选能力。
萃锦半导体：SiC模块产品项目开工，年产120万只。
晶格领域半导体：将扩建液相法SiC衬底中试线。

清纯半导体SiC项目启用

月产近千万颗SiC器件

2月3日，据清纯半导体官微消息，“复旦大学宁波研究院重大产业化项目-清纯半导体研发基地启用仪式”成功举办，复旦大学、清纯半导体及宁波前湾新区相关领导和各界嘉宾出席见证了该研发基地的启用。

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据悉，清纯半导体研发基地总面积4600平米，建设四大实验平台：包括器件性能测试平台、晶圆测试及老化平台；可靠性及应用平台以及器件测试及老化平台。实验室总规划面积超2500平米，配备了国际领先的功率器件参数测试及可靠性设备，平台总投入近亿元，具备支撑月产近千万颗碳化硅器件的测试及筛选能力。

而据去年5月，清纯半导体的创始人张清纯博士在宁波市举办的“前湾大讲堂”系列活动之科技创新交流会上的发言可知，该项目总投资约4.6亿元（.点这里.），未来还将建立SiC工艺中试线和SiC工艺封装研发线两条工艺线。

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萃锦半导体投6.5亿元

生产SiC模块等功率产品

1月28日，据浙江慈溪市本土媒体报道，慈溪市举行了上半年重大项目开工仪式，浙江萃锦半导体有限公司年产120万只中高功率半导体器件产品项目开工，项目涉及SiC模块产品。

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据悉，该项目占地2万平方米，预计总投资6.5亿元，拟建设半导体器件生产厂房，主要应用于新能源汽车、光伏、储能、风电等领域。

目前，萃锦半导体产品主要包括IGBT模块E1系列、SiC模块H1系列、SiC模块M1系列等，建有“功率半导体研发中心”和10000平米功率芯片后道加工和IGBT/SiC模块封装生产线，产能可达每年100万只功率模块。

2022年6月，萃锦半导体生产出首款SiC模块样品并通过测试。据悉，该产品专为新能源汽车逆变器主驱设计，可显著提升逆变器的效率。该产品瞬态电流输出能力高达660A，实现逆变器功率等级到200kW以上，整车续航能力增加5-8%。

萃锦半导体成立于2021年7月，2022年7月，萃锦科技研发中心暨碳化硅模块一期项目正式落地昆山花桥的顺扬智汇谷，该项目规划生产面向新能源汽车的碳化硅模块，可实现设备100%在线监控，在计划调度、生产作业、设备管理、智能仓储和能源管理等方面全面提升数字化水平。

2022年3月，萃锦科技还与湖南功率半导体创新中心签订战略合作协议，萃锦科技依托创新中心的资源可以加快先进制程开发和产品创新研发。

晶格领域

将建液相法SiC中试线

2月3日，据北京顺义科技创新集团官微消息，北京晶格领域半导体有限公司液相法碳化硅半导体项目将扩建中试线，所需的2000-3000平方米的产业空间已选定落户北京顺义区南彩工业园。

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据“行家说三代半”了解，晶格领域液相法碳化硅半导体项目一期已于2020年落地科创集团所属工宇园区，该项目是中科院物理所科技成果转化项目，分三期落地实施，计划投资4.5亿元，建筑面积1050平方米。目前已建成4-6英寸液相法碳化硅衬底试验线，具备年产5400片碳化硅衬底生产能力。

而晶格领域根据自身发展，反映仍需2000-3000平方米的产业空间扩建中试线，但是顺义科技创新集团因自有厂房资源暂时无法满足其需求，故积极推动扩建项目落地南彩工业园。

晶格领域成立于2020年6月，其主营业务为碳化硅、氮化镓、氮化铝、金刚石等宽禁带半导体材料及相关器件的研发、生产及销售。

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