单晶金刚石是一种性能优异的晶体材料，在先进科学领域具有重要的应用价值。作为终极半导体，金刚石大单晶与器件应用方向，近年来备受行业关注与研究，并取得突飞猛进的发展。其中，在MPCVD单晶金刚石生长中，如何提高晶体的生长速率一直以来都是研究者们关注的重点问题之一，而采用高能量密度的等离子体是提高单晶金刚石生长速率的有效手段。
近日，哈尔滨工业大学代兵教授、朱嘉琦教授团队在最新成果中，提出了一种利用等离子体聚集装置实现高能量密度快速生长的方法，并对等离子体相关性状和生长材料进行了分析表征。该论文进一步模拟和优化了生长工艺，显著提升了金刚石生长速率，引领了快速生长金刚石单晶的发展方向。该成果以“等离子体聚集装置下的高能量密度单晶金刚石快速生长研究 ”为题，发表在《无机材料学报》上。博士生李一村为第一作者，代兵教授为通讯作者。
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黄烨锋 