新品|瞄准充电桩市场,Nexperia推出首款1200VSiCMOSFET

碳化硅芯观察 2023-12-01 17:51

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本月初,三菱电机与 Nexperia宣布将共同开发 SiC 功率半导体,由三菱电机开发和供应 SiC MOSFET 芯片,Nexperia 将使用该芯片来开发 SiC 分立器件产品。日, Nexperia BV就推出与三菱合作的首款碳化硅 (SiC) MOSFET,推出两款采用 3 引脚 TO-247 封装、带 R DS 的 1200V 分立器件(上)值为 40mΩ 和 80mΩ,瞄准充电桩市场应用。
NSF040120L3A0 和 NSF080120L3A0 是计划推出的一系列产品中的首款产品,这将使 Nexperia 的 SiC MOSFET 产品组合迅速扩展,以包括具有多种 R DS(on)值、采用通孔和表面贴装封装的器件。该版本满足了市场对高性能 SiC MOSFET 在工业应用中提高可用性的需求,这些应用包括电动汽车 (EV) 充电桩、不间断电源 (UPS) 以及太阳能和储能系统 (ESS) 逆变器。

Nexperia 高级总监兼 SiC 产品组负责人 Katrin Feurle 表示:“通过这些首款产品,Nexperia 和三菱电机希望为市场带来真正的创新,因为市场一直迫切需要更多宽带隙器件供应商。” “Nexperia 现在可以提供 SiC MOSFET 器件,这些器件在多个参数上提供一流的性能,包括高 R DS(on)温度稳定性、低体二极管压降、严格的阈值电压规格以及非常平衡的栅极电荷比率使器件能够安全地防止寄生导通。这是我们与三菱电机合作生产最高品质 SiC MOSFET 的承诺的开篇。”他补充道。

“我们很高兴与 Nexperia 一起推出这些新型 SiC MOSFET,作为我们合作伙伴关系的首款产品,”三菱电机半导体与器件集团功率器件工厂高级总经理 Toru Iwagami 评论道。三菱电机在 SiC 功率半导体方面积累了卓越的专业知识,我们的器件提供了独特的特性平衡,”他声称

Nexperia 认为SiC器件的R DS(on)会影响传导功率损耗。这是许多当前可用 SiC 器件性能的限制因素,并利用其工艺技术确保其新型 SiC MOSFET 提供业界领先的温度稳定性,R DS(on) 标称值增加了Nexperia 声称,与市场上现有的许多 SiC 器件不同,在 25°C 至 175°C 的工作温度范围内,功耗仅为 38%。

该公司表示,其 SiC MOSFET 还表现出非常低的总栅极电荷 (Q G ),这带来了较低栅极驱动损耗的优势。此外,Nexperia 平衡了栅极电荷,具有较低的 Q GD与 Q GS比率,从而提高了器件对寄生导通的抗扰度。

Nexperia 表示,除了 SiC MOSFET 的正温度系数之外,其 SiC MOSFET 还提供超低的器件间阈值电压 V GS(th)差异,从而在静态和动态下实现非常平衡的载流性能设备并行运行时的条件。此外,低体二极管正向电压 (V SD ) 是一个提高器件鲁棒性和效率的参数,同时还可以放宽异步整流和续流操作的死区时间要求。

NSF040120L3A0 和 NSF080120L3A0 现已批量供货。Nexperia 还计划未来发布汽车级 MOSFET。

*免责声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人观点,碳化硅芯观察转载仅为了传达观点,仅代表碳化硅芯观察对该观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系碳化硅芯观察。

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