瑞萨收购Transphorm，利用GaN技术扩展电源产品阵容

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（以下“瑞萨”，TSE：6723）与全球氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布双方已达成最终协议，根据该协议，瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股，较Transphorm在2024年1月10日的收盘价溢价约35%，较过去十二个月的成交量加权平均价格溢价约56%，较过去六个月的成交量加权平均价格溢价约78%。此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元。此次收购将为瑞萨提供GaN（功率半导体的下一代关键材料）的内部技术，从而扩展其在电动汽车、计算（数据中心、人工智能、基础设施）、可再生能源、工业电源以及快速充电器/适配器等快速增长市场的业务范围。

瑞萨首席执行官柴田英利表示：“Transphorm是一家由来自加州大学圣塔芭芭拉分校、并扎根于GaN功率、经验丰富的团队所领导的公司。Transphorm GaN技术的加入增强了我们在IGBT和SiC领域的发展势头。它将推动和扩大我们的关键增长支柱之一的功率产品阵容，使我们的客户能够选择最佳的电源解决方案。”

交易明细

Transphorm, Inc.是GaN革新的全球引领者，为高压功率转换应用设计和制造高性能和高可靠性的GaN半导体。Transphorm拥有超过1,000项自有或许可专利的功率GaN IP产品组合，生产业界首款符合JEDEC和AEC-Q101标准的高压GaN半导体器件。Transphorm的垂直整合设备业务模式允许在每个开发阶段进行创新：设计、制造、设备和应用支持。Transphorm的创新使电力电子技术突破了硅的限制，实现了超过99%的效率、提高了50%的功率密度并降低了20%的系统成本。Transphorm总部位于加利福尼亚州戈利塔，并在日本会津和戈利塔设有制造工厂。