新品 | 采用D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC™ MOSFET

英飞凌工业半导体 2020-10-29

英飞凌推出采用全新D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC™ MOSFET,导通电阻从30mΩ到350mΩ,可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器(不同的电流额定值)实现最高效率。


了解使用此SMD封装从而提高应用性能的多种方法:被动冷却解决方案、增大功率密度、延长使用寿命等等。请联系您当地的英飞凌代表,详细了解无风扇伺服驱动的实现、机器人和自动化行业的逆变器-电机一体化,以及低功率紧凑型充电器解决方案。


CoolSiC™沟槽MOSFET技术经过优化,将性能与可靠性相结合,并具有3µs的短路时间。由于采用.XT连接技术,其小巧封装外形的散热性能得到显著改善。相比标准封装的连接技术,.XT连接技术可多消散30%的额外损耗。该全新CoolSiC™ .XT产品系列表现出一流的热性能和循环能力:与标准连接技术相比,输出电流最多提高14%,开关频率提高一倍,工作温度则降低10-15°C。



特 性

  • 开关损耗极低

  • 短路时间3µs 

  • 完全可控dV/dt

  • 典型栅极阈值电压,VGS(th) =4.5V

  • 不易寄生导通,可选用0V关断栅极电压

  • 坚固耐用的体二极管,实现硬开关

  • .XT连接技术,实现一流的热性能

  • 为1200V优化的SMD封装,其爬电距离和电气间隙在PCB上>6.1mm

  • Sense引脚,可优化开关性能


应用示意图


优 势

  • 效率提升

  • 实现更高频率

  • 增大功率密度 

  • 减少冷却设计工作量

  • 降低系统复杂性并降低成本

  • SMD封装能直接集成于PCB,采用自然对流冷却方式,无需额外的散热器


目标应用

  • 电机驱动

  • 基础设施-充电桩

  • 发电-太阳能组串式逆变器和优化器

  • 工业电源–工业UPS


竞争优势

  • 无风扇驱动

  • 实施被动冷却

  • 最高效率,无需散热器

  • 通过减少零件数量并减小外形尺寸实现紧凑型解决方案

  • SMD集成于PCB,采用自然对流冷却方式,仅有热通孔

  • 电机和逆变器一体化

  • 采用具备大爬电距离和电气间隙的SMD封装的1200V器件符合安全要求




关于英飞凌

英飞凌设计、开发、制造并销售各种半导体和系统解决方案。其业务重点包括汽车电子、工业电子、射频应用、移动终端和基于硬件的安全解决方案等。


英飞凌将业务成功与社会责任结合在一起,致力于让人们的生活更加便利、安全和环保。半导体虽几乎看不到,但它已经成为了我们日常生活中不可或缺的一部分。不论在电力生产、传输还是利用等方面,英飞凌芯片始终发挥着至关重要的作用。此外,它们在保护数据通信,提高道路交通安全性,降低车辆的二氧化碳排放等领域同样功不可没。

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