签约、投产,3个SiC功率器件项目刷新“进度条”

化合物半导体市场 2024-05-22 18:08
近日,SiC功率器件相关扩产项目迎来一波小高潮,多家厂商密集发布新进展,其中包括士兰微8英寸SiC功率器件生产线项目、安建功率半导体模块封装项目、智新半导体800V SiC模块产线。
士兰微8英寸SiC功率器件项目落地厦门
5月21日,士兰微与厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府在厦门市签署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目战略合作框架协议》(以下简称协议协议)。

source:士兰微

根据协议,各方合作在厦门市海沧区投资建设一条以SiC MOSEFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线。该项目分两期建设,项目一期投资规模约70亿元,规划产能3.5万片/月,二期投资规模约50亿元,规划产能2.5万片/月,两期建设完成后,将形成8英寸SiC功率器件芯片年产72万片的生产能力。
为主导项目实施,士兰微已于2024年3月6日在厦门市海沧区先行设立了项目公司厦门士兰集宏半导体有限公司(以下简称士兰集宏),士兰集宏注册资本为0.6亿元,全部由士兰微出资。
为推进项目实施,士兰微拟与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司共同向子公司士兰集宏增资41.5亿元并签署《8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目之投资合作协议》。    
士兰集宏本次新增注册资本41.5亿元,由士兰微与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司以货币方式共同认缴,其中:士兰微认缴10亿元,厦门半导体投资集团有限公司认缴10亿元,厦门新翼科技实业有限公司认缴21.50亿元。本次增资完成后,士兰集宏的注册资本将由0.6亿元增加至42.1亿元。

士兰微表示,如本次投资事项顺利实施,将为士兰集宏“8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目”的建设和运营提供资金保障,有利于加快实现士兰微SiC功率器件的产业化,完善其在车规级高端功率半导体领域的战略布局,增强核心竞争力。
安建功率半导体模块封装项目签约浙江海宁
5月20日,2024年二季度海宁经济开发区、海昌街道项目集中签约仪式在浙江海宁(中国)泛半导体产业园服务中心举行,宁波安建半导体有限公司(以下简称安建半导体)功率半导体模块封装项目签约落地海宁经开区,总投资1亿元。

source:活力经开多彩海昌官微

作为一家功率半导体元器件产品设计、研发及销售公司,安建半导体现有低电压的SGT MOSFET(分裂栅金属氧化物场效应晶体管)、高电压的SJ MOSFET(超结金属氧化物场效应晶体管)、Field Stop Trench IGBT(绝缘栅双极晶体管)三条成熟的产品线。其高电压产品主要应用于高铁、电动汽车、新能源、工业控制等领域;低电压产品主要应用于5G基站、电能转换、绿色家电、消费电子等领域。
在第三代半导体领域,安建半导体目前已推出具有完全自主产权的1200V 17mΩ SiC MOSFET,正在同步建设SiC模块封装产线和开发新一代GaN技术和产品。
在SiC业务方面,安建半导体在去年12月与积塔半导体就加速完成安建在积塔代工的平面型SiC MOSFET器件开发,并携手迈进新一代沟槽型SiC MOSFET器件开发达成合作。
智新半导体800V SiC模块产线预计7月批量投产
5月20日,据湖北日报消息,智新半导体第二条生产线兼容生产400V硅基IGBT模块和800V SiC模块,预计7月份批量投产,10月份大批量投用。
据悉,为加速车规级功率半导体模块国产替代,东风公司在2019年6月与中国中车成立智新半导体,开始自主研发生产车规级IGBT模块。
2021年7月,智新半导体以先进的第6代IGBT芯片技术为基础的生产线启动量产,华中地区首批自主生产的车规级IGBT模块产品正式下线。一期产能30万只,主要生产400V硅基IGBT模块。
而在今年4月,智新半导体第二条生产线启用,规划产能40万只,兼容生产400V硅基IGBT模块和800V SiC模块,产线国产化率达到70%。
智新半导体表示,其800V SiC模块采用纳米银烧结工艺、铜键合技术,可将能量转化效率提高3%,与同样性能的国外产品相比,该模块成本降低了30%。

集邦化合物半导体Zac整理

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