三星最新工艺路线图

中国半导体论坛 2024-06-14 12:41

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近日,三星电子在加州圣何塞的设备解决方案美国总部举办三星晶圆代工论坛(Samsung Foundry Forum, SFF),公布了其最新代工技术路线图和成果。


在“赋能人工智能革命”的主题下,三星宣布了其强化工艺技术路线图,包括两个新的尖端节点——SF2Z 和 SF4U,以及利用其代工、内存和高级封装(AVP)业务独特优势的集成三星人工智能解决方案平台。

其中,SF2Z是2nm工艺,采用背面电源输送网络(BSPDN)技术,该技术将电源轨置于晶圆背面,以消除电源线和信号线之间的瓶颈。与第一代 2nm 节点 SF2 相比,将 BSPDN 技术应用于 SF2Z 不仅可以提高功率、性能和面积 (PPA),还可以显著降低电压降 (IR 降),从而提高 HPC 设计的性能。SF2Z 预计将于 2027 年实现量产。

SF4U则是4nm工艺变体,通过结合光学缩放技术改进功率、性能和面积(PPA),该工艺计划于2025年量产。

此外,三星重申,公司对SF1.4(1.4nm)的准备工作进展顺利,正在按计划达成性能和量产目标,预计该工艺将于2027年量产。

三星在SFF上还介绍了采用2nm GAA工艺的多个SF2版本,其中,SF2X、SF2Z可面向高性能计算、人工智能应用,SF2A可面向汽车应用。


三星强调其对超越摩尔定律的持续承诺,正通过材料和结构创新,积极塑造1.4nm以下的未来工艺技术。

技术路线上,三星重点介绍了全环绕栅极(GAA)工艺技术的进展。三星的GAA工艺已进入量产的第三年,从产量和性能看,该工艺表现出一定的成熟度。基于GAA技术演进,三星计划在今年下半年量产第二代3nm工艺(SF3),并计划在即将推出的2nm工艺上采用GAA。三星表示,2022年以来,其GAA产量稳步增长,GAA产量有望在未来几年大幅增长。

三星强调了GAA技术的成熟度,表示GAA工艺的进步正在满足芯片的功率和性能需求,这是满足AI需求的关键技术。三星电子相关负责人表示,满足AI需求的关键在于提供高性能、低功耗的半导体,除了已证明适用于AI芯片的GAA工艺,三星还计划引入集成的CPO(光电共封装),用于高速、低功耗的数据处理。

三星还发布了AI Solution人工智能平台,针对特定客户的AI需求提供高性能、低功耗、高带宽解决方案,并计划在2027年推出集成CPO的一站式AI解决方案。

此外,三星还透露,在过去一年中,三星代工的AI销售额增长了80%。


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