7家SiC&GaN厂商公布新技术:车规级/1200V/效率超99%…

原创 第三代半导体风向 2024-06-20 11:35
前不久,“行家说三代半”盘点了三菱电机、罗姆半导体等十几家PCIM Europe的SiC参展商(点击查看)。今天,我们继续盘点英诺赛科、芯聚能半导体、联讯仪器等实力厂商,看他们带来了哪些SiC、GaN新技术:

英诺赛科:

呈现氮化镓多领域解决方案

作为行业内氮化镓研发与制造的领先企业,英诺赛科在PCIM展会上展示了多样化分立氮化镓和集成氮化镓产品,以及基于高性能氮化镓的多种解决方案。

据悉,英诺赛科的展示产品包含30V-700V的氮化镓分立芯片、氮化镓合封芯片(SolidGaN)和双向导通芯片(V-GaN),同时也将140W-240W 全系列 AllGaN 、1kW 电机驱动、2kW PSU 电源、2kW微型逆变器方案等解决方案一一呈现,展示氮化镓技术在电源应用领域的最新突破。

官网介绍,英诺赛科致力于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研发与制造,拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地,产品设计及性能处于国际先进水平,提供从15V-1200V的高、中、低压全功率氮化镓产品,涵盖晶圆、分立器件、合封芯片三大品类,累计出货量突破5亿颗

芯聚能半导体:

车规级模块将量产交付

值得关注的是,芯聚能半导体在展会现场亮相了V5车规级模块等产品,吸引了不少观众的关注。

据悉,他们的V5车规级模块采用了领先的SiC MOSFET芯片和创新的封装技术,具有高性能银烧结技术、超低热阻散热结构、超低杂散电感铜Clip及叠层端子、高可靠性激光焊接、灵活的压接技术、先进封装材料等技术优势,令其完全符合新能源汽车主驱系统对高功率密度和高可靠性的严苛要求。

目前,该产品已在多家主机厂获得验证,今年将陆续实现量产交付。此外,新品V5G,V6进一步升级封装技术,其出流能力达到前一代量产模块2倍水平,最高可输出900Arms。

官微透露,芯聚能半导体主营业务为碳化硅基功率半导体器件及模块的研发、设计、封装、测试和销售,主要产品包括车规级和工业级功率模块,可广泛应用于新能源汽车主机驱动领域和光伏、风能、储能、IDC 等领域,是国内率先进入新能源主驱市场并实现量产的企业。

安建科技:

展示SiC等先进产品

安建科技透露,他们展示了企业最新的创新型产品和技术解决方案,展出的产品阵容涵盖了IGBT、 SGT MOSFET、SiC和其他可用于电能转换、电动汽车、消费电子、新能源和工业自动化等领域的多款先进功率器件

据悉,本次参展所展示产品和技术解决方案受到了行业伙伴和现场观众的高度关注和认可。参展期间,安建科技与全球各地的行业专家和合作伙伴进行了有意义的交流讨论。

官网透露,安建科技有限公司是一家专门从事功率半导体元器件产品设计、研发及销售的高科技公司,现有低电压的SGT-MOSFET、高电压的SJ-MOSFET、Field Stop Trench IGBT三条成熟的产品线,功率芯片得到了国内多家应用客户的认可,目前已经在众多领域稳定运行。

联讯仪器:

带来最新SiC测试设备

会场上,联讯仪器携带最新SiC KGD PB6600测试系统、WLBI3800晶圆级老化系统以及WAT6300高压串行参数测试系统亮相,成为展会上的一大焦点。

联讯仪器最新推出SiC KGD PB6600支持6个测试站并行测试,UPH能力>1200pcs,支持硬Docking,动态测试系统的杂散电感<45nH,探针卡采用密封腔设计,具有氮气压力监测功能,可保持压力并防止电弧产生。目前,联讯仪器已与多家客户达成初步合作意向

官微透露,联讯仪器是国内高端测试仪器和设备供应商。主要专注于高速通信、光芯片、电芯片和第三代半导体功率芯片等测试仪表和设备的研发制造,旗下产品包括半导体激光器CoC老化、裸Die芯片测试、SiC晶圆老化、SiC裸Die 功率芯片KGD测试分选等。今年上半年,他们已陆续推出6项新品,涉及高精度源表、老化测试系统、KGD测试系统等多个领域。

IAF:

推进1200V GaN晶体管研发

据外媒报道,德国弗莱堡弗劳恩霍夫应用固体物理研究所(IAF)在展会介绍了其阻断电压高于1200V的横向和垂直GaN晶体管新技术的开发现状。

该研究所目前正致力于实现基于GaN的HEMT技术,其阻断电压高达1200V及以上, 旨在为现有的SiC MOSFET提供替代方案。为此,IAF的研发方案有:

  • 硅基氮化镓HEMT:目前已经上市,但由于氮化镓层厚度有限,阻断电压限制为 650V。通过不断优化材料及其加工,他们如今能够展示静态阻断电压超过1200V的硅基氮化镓HEMT,此外,在面向应用的测量台架(双脉冲测量)上,功率元件的开关电压高达 1100V。


  • 绝缘体氮化镓 HEMT :研究人员用蓝宝石、碳化硅或氮化镓等高绝缘载体衬底取代了导电硅,消除了电压限制。根据发光二极管应用的研发成果,蓝宝石氮化镓 HEMT 目前已能在生产线投产。


  • 垂直氮化镓 HEMT:未来十年内,他们将制造适合工业用途的垂直GaN功率IC。

CGD:

发布GaN功率IC新封装

据外媒报道,CGD宣布为旗下ICeGaN 系列 GaN 功率 IC 推出两款新封装,提供增强的热性能并简化检测。

  • DHDFN-9-1(双散热器 DFN)是一种薄型双面冷却封装,具有 小尺寸、低热阻等特点。它还采用双栅极引脚排列设计,可实现最佳 PCB 布局和简单并联,能够轻松应对高达 6 kW 的应用。


  • BHDFN-9-1(底部散热器 DFN)是一种底部冷却套件,热阻为0.28 K/W,尺寸为10x10 mm,小于常用的 TOLL 封装,但具有相似的基底面,因此可与 TOLL 封装的 GaN 功率集成电路采用通用布局,便于使用和评估。


官网透露,Cambridge GaN Devices 属于剑桥大学的衍生公司,是一家无晶圆厂半导体公司,主要业务为氮化镓功率器件研发,目前已推出650 V / 55 mohm、650 V / 25 mΩ 等规格氮化镓晶体管。

德州仪器:

GaN IPM可实现99%效率

在展会上,德州仪器推出了业界首款适用于250W 电机驱动应用的 650V 三相 GaN IPM,旨在解决大型家用电器及加热、通风和空调 (HVAC) 系统的能效标准难题。

德州仪器表示,该产品可实现超过 99% 的逆变器效率,功耗与现有方案相比降低了 50%,并实现了低死区时间和低传播延迟,两者均小于 200ns,在获得更高开关频率的同时,降低了噪声和系统振动,这些优势加上更高的功率效率和集成功能,还可以降低电机发热,从而提高可靠性并延长系统寿命。

此外,全新IPM采用 12mm x 12mm 封装,与同类 IPM 解决方案相比,PCB 的尺寸可缩减高达 55%。此外,对电流检测放大器、保护功能和逆变器级的集成进一步缩减了解决方案的尺寸和成本。

官网透露,德州仪器是一家全球性的半导体公司,致力于设计、制造、测试和销售模拟和嵌入式处理芯片,产品可帮助客户高效地管理电源、准确地感应和传输数据并在其设计中提供核心控制或处理,目前在在全球拥有 15 个制造基地,其中包括多家晶圆制造厂、封装测试厂、凸点加工厂以及晶圆测试厂。

PCIM Asia 2024:

已有120+企业参展,100+报告发布

值得关注是,2024年8月28至30日,作为PCIM Europe的姐妹展,PCIM Asia 2024将在深圳国际会展中心(宝安新馆)举办,为行业搭建一个高效的交流平台,共同分享电力电子领域的最新科技成果和产业趋势。

据悉,本次PCIM Asia 已经吸引了三菱电机、赛米控丹佛斯富士电机、英飞凌、罗姆半导体博世集团、安森美、尼得科、合盛硅业、芯干线、中国中车、南砂晶圆、国基南方、安世半导体等累计120多家企业的赞助或参展,他们将在展会现场展示行业技术的前沿应用。

除产品技术展示,展会现场还将举办国际研讨会、工业论坛等一系列会议活动,会议主题涵盖:宽禁带半导体论坛、高功率器件论坛、电动汽车论坛、清洁能源及储能技术论坛等,并邀请到来自英飞凌、日立电源、禾望电气、清华大学等企业及机构的专家进行现场研讨,同时分享100+电力电子行业学术报告。

目前距展会开幕已不足80天,如需报名及了解活动详情,现可通过以下方式:

  • 扫描下方二维码或点击原文链接,直接进行活动报名;

  • 添加微信&拨打电话:13570314186,进一步了解活动具体信息。

届时,“行家说三代半”也将对展会现场及各大厂商进行报道,呈现出第三代半导体在带电力电子领域的最新进展,敬请期待!

2024 PCIM Asia

联系人:陈圆圆 Trista 女士
邮箱:cyy@hangjianet.com
微信:13570314186

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