启方半导体计划年内完成开发650VGaNHEMT

化合物半导体市场 2024-06-20 14:39
据外媒报道,6月19日,韩国8英寸纯晶圆代工厂SK Key Foundry(启方半导体)宣布,公司已确认650伏氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的特性,正加大开发力度,预计年内完成开发。

因GaN具有高速开关和低电阻特性,它被称为下一代功率半导体,比现有的硅(Si)基半导体具有更低的损耗、更高的效率和小型化。其主要应用于电源、混合动力和电动汽车、太阳能逆变器等。

SK Key Foundry计划为现有的功率半导体用户推广650V GaN HEMT,同时发掘新客户。此外,该公司还计划增加一个GaN产品组合,为GaN HEMT和GaN IC提供各种电压。

SK Key Foundry首席执行官Lee Dong-jae表示:“除了具有竞争力的高压BCD之外,我们还在为下一代功率半导体做准备。未来,我们还将扩大功率半导体产品组合,除了GaN还有SiC,将自己打造成一家专业的功率半导体代工厂。”

集邦化合物半导体Morty编译

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    丙丁先生 2024-07-15 07:27 58浏览
  •     这篇分享对PCB电化学迁移(ECM, Electrochemical Migration)的学习。     ECM发生在导体之间,是一种需要PCB通电才能持续的电化学反应,和电镀的原理相同。反应条件是:     1. 有电场。存在电位差/电压降,一般来说电位差/电压降越大,电化学反应的速度越快。     2. 有可溶性电解质和溶剂,这个和化学腐蚀机理相同。     3. 有迁移通道。即电荷
    电子知识打边炉 2024-07-14 17:40 38浏览
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