专利战频发，中国企业需提前构建知识产权“护城河”

随着我国半导体行业的不断发展，知识产权的重要性日渐突出。知识产权是半导体产业技术创新和持续发展的基石，也是国际竞争中的重要战略资源。

尤其在如半导体这样高度竞争的市场中，拥有核心知识产权的企业能够占据技术制高点，形成市场壁垒，防止竞争对手的模仿和抄袭。这不仅有助于维护企业的市场地位和品牌形象，还能通过专利许可、技术转让等方式实现技术变现，增加企业收益。

近年来，随着半导体国产化进程的不断推进，我国半导体领域的发展也取得了长足的进步，但国内企业也面临越来越多的发展挑战，半导体专利战就是这些企业不得不面对的困难之一。近期，国外大厂针对国内领先半导体公司的专利战频发。

8月3日，顺络电子发布公告，其于8月1日收到上海知识产权法院送达的《民事起诉状》及《应诉通知书》等诉讼相关材料。村田在上海起诉深圳顺络电子股份有限公司及上海旭沁电子科技有限公司侵犯其享有的五项发明专利，目前已立案受理，尚未开庭。

村田提出，顺络电子及旭沁电子侵犯了其ZL201310020785.4号、ZL201610108687.X号、 ZL201811351471.1号、ZL201580012303.8号、ZL200880100996.6号等五项发明专利权，村田要求两名被告立即停止侵犯行为，包括立即停止制造、销售、许诺销售侵犯原告专利权的所有侵权产品；销毁所有库存侵权产品和半成品；删除和销毁所有与侵权产品有关的宣传材料、网络链接或网页；判令两被告连带赔偿原告为制止侵权行为所支付的律师费等合理开支及本案诉讼费用。相关案件律师费等合理开支合计人民币250万元及诉讼费用。

对此，顺络电子表示，对原告主张不予认可，并将积极应诉。同时，顺络电子也表示，鉴于本次公告的涉诉案件尚未开庭审理，本次诉讼事项对公司本期利润或期后利润的影响具有不确定性，最终实际影响以法院判决为准。

除了村田和顺络电子的专利战，近期，英飞凌也宣布对国内氮化镓企业英诺赛科扩大专利诉讼。英飞凌于当地时间7月23日向美国加州北区地方法院追加诉讼请求，指控英诺赛科侵犯了英飞凌拥有的三项与氮化镓（GaN）技术相关的专利。

这两家的专利战源自2024年3月14日，英飞凌就英诺赛科侵犯英飞凌的一项与GaN相关的美国专利向美国加利福尼亚北区地方法院提起了初始诉讼，寻求永久禁令；随后，2024年6月4日，英飞凌向德国慕尼黑地方法院对英诺赛科提起相应诉讼；2024年6月12日，德国慕尼黑地方法院发布一项初步禁令（法院指令），要求英诺赛科在PCIM Europe展位上移除与侵权案涉及专利有关的所有产品；之后，2024年7月23日，英飞凌向美国加州北区地方法院追加诉讼请求。

对此，英诺赛科在其官网发布官方声明称，其就近期收到的英飞凌在境外提起的一系列专利侵权指控进行了专业且全面的检索、分析和评估，认为英飞凌的相关指控缺乏依据，涉案专利不具备有效性，相关诉讼不会对英诺赛科的现有产品销售和正常经营产生影响。

似乎，最近半导体国际厂商和国内厂商之间的专利战的发生呈现上升的趋势，一方面，这是国内厂商想要获得更多市场份额，或走向国际市场不得不应对的挑战；另一方面，这也反应了国内厂商无论是在技术和产品方面，都已经具备了一定的竞争力，已经对这些传统的国际大厂造成威胁。

如顺络电子，它是目前国内电感行业的龙头企业，同时也是全球排名前三的电感企业，它的电感产品种类齐全，质量过硬，并掌握了各种核心电感技术，之前在网上回复投资者提问时，顺络电子就表示其片式电感产品市场份额已经达到全球前三、国内第一，他与村田是最直接的竞争对手。尤其在国内市场，据智研瞻的统计数据预测，2024-2030年中国电感器件行业市场规模平稳上升，2030年中国电感器件行业市场规模将达659.54亿元（如下图）。近几年，顺络电子也在逐渐蚕食村田在国内的市场份额。

（图源：智研瞻）

而且，村田也将顺络电子视为其电感业务的全球竞争对手之一，并公开将其写入2023年发布的统合报告书中。这说明了顺络电子作为一个后起之秀已经对村田这个传统的行业大厂产生了威胁，那村田对顺络电子发起专利战也就不足为奇了。

可以说，知识产权是一家公司发展的“护城河”，顺络电子也一直非常重视对于知识产权的发展。据悉，顺络电子目前已拥有已授权有效国内专利930项，其中发明专利365项，实用新型专利553项，外观设计专利12项。同时，顺络电子对于知识产权有深度理解，在新产品开发之初就已经对于相关知识产权做过前期研究和评估，相信顺络电子一定不会打无准备之仗。

而英飞凌起诉英诺赛科的时间点则非常微妙，英诺赛科于近期正式向香港联交所提交A1上市申请。在这样一个时间点进行专利战，是否会对英诺赛科的上市之路产生影响呢？

另外，英诺赛科在氮化镓功率半导体领域是领先的厂商，据相关数据显示，按折算氮化镓分立器件出货量计，英诺赛科于2023年在全球氮化镓功率半导体公司中排名第一，市占率为42.4%。它也是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司。

而英飞凌在收购GaN Systems后，市场份额才进入前五行列，同时也开始加速布局氮化镓领域，是否也是想要通过这一举措来巩固其在功率半导体领域的领先市场地位呢？

此外，以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体市场近几年也发展迅速，引得许多厂商加大投资和并购。据TrendForce报告显示，全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金，复合增长率高达65%。因此，氮化镓领域的技术越来越集中，竞争也取白热化。

因此，两者发生专利战似乎也就不那么令人意外了。虽然，英飞凌对于英诺赛科一再追加诉讼，但英诺赛科似乎也丝毫不让。他在回应中表示，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体领域处于绝对领先地位，并在氮化镓芯片出货量及市场份额上遥遥领先于英飞凌。英诺赛科非常重视知识产权的开发和布局，所有产品均拥有完全自主知识产权。其认为，英飞凌此次提起的专利诉讼是其应对市场竞争的手段，主要目的是通过诉讼扰乱市场，阻碍英诺赛科及氮化镓产业的发展，尝试通过非常规手段保住英飞凌在硅功率半导体领域的市场地位。

毫无疑问，未来随着国内半导体企业的不断开疆扩土，发生类似的专利战肯定不可避免。中国企业需要不断加强技术研发、完善专利布局、提高知识产权保护意识以及加强国际合作与沟通，这些都将是半导体企业应对专利战的有效途径，这样才能在未来复杂的国际竞争局势中占得先机。