作为韩国的半导体巨头之一，三星电子近期似乎是在经历水逆。首先，从7月初开始，三星遭遇半个世纪以来最大规模的有组织的罢工，后经历将近一个月的谈判，在8月1日时正式结束。但这还不是结束，从三星电子全国工会主席的表态来看，他们只是转变策略，将进行长期斗争。
三星电子全国工会主席Son Woo-mok表示：“我们与三星管理层进行了最后的谈判，但谈判破裂，我们认为是时候将总罢工转变为长期斗争。”同时，他指示工会成员重返工作岗位，这表明战略发生了变化。
另外，三星上个月发布了其新一代的Galaxy WatchUltra、Galaxy Buds3和Galaxy Buds3 Pro等产品，但这也成为了三星近年来最具争议的产品。因为大部分用户都认为这几款产品与苹果的Watch Ultra、AirPods 3和AirPods Pro 2在外形设计方面存在相似之处。据韩媒报道，三星集团及三星电子会长李在镕对于此次“抄袭事件”非常不满，一向性格温和的他竟然发起了火。
一波未平一波又起，哈佛大学本周一（8月5日）向美国得克萨斯州东区地方法院提交起诉书，指控三星电子在微处理器和内存制造领域侵犯了其两项专利。这两项专利涉及含钴、钨薄膜的沉积方法，分别名为“用于铜互连的氮化钴层及其形成方法”与“氮化钨的气相沉积”，哈佛大学称“这种薄膜对于计算机和手机等众多产品的关键部件至关重要”，涉及三星S22智能手机、Galaxy Z Flip5折叠屏手机等产品。
但“水逆”似乎也迎来结束的时候了。
8月7日，据路透社报道，三位知情人士透露，三星电子的一款第五代高带宽芯片（HBM）芯片，也就是HBM3E,已经通过了英伟达的测试，将用于其人工智能（AI）处理器中。
如果该消息是真的，那对于近期一直在经历“水逆”的三星来说，是久旱逢甘露。毕竟，在HBM市场，三星目前一直处于追赶他的竞争对手SK海力士的状态。
据上述消息人士称，三星和英伟达目前还没有就批准的八层HBM3E芯片签订供应协议，但很快就会签署，并预计供应将于2024年第四季度正式开始。
另外，消息人士还表示，三星的另一款12层的HBM3E芯片还未通过英伟达的测试，但由于此事仍属机密，这几个消息人士拒绝透露身份。
截至发稿时，英伟达没有回应置评。三星则回应称，“我们无法证实与客户相关的报道，但该报道不属实。”
三星的HBM3E产品是否通过英伟达的测试一直是业界关注的问题。今年5月，路透社就报道过，由于三星HBM3E芯片存在发热和功耗等问题一直未能通过英伟达的测试，但三星和英伟达当时都及时进行了辟谣。
众所周知，HBM芯片时人工智能图形处理单元（GPU）的关键零部件，有助于处理复杂应用程序产生的大量数据。据Yole预测，2024年HBM市场将达到141亿美元，2029年则将达到380亿美元。2023至2028年HBM供应的年均复合增长率将达到45%，由于难以扩大生产，HBM的价格预计将长期保持在较高水平。
另据TrendForce研究表明，三星电子、SK海力士和美光已经开始提高先进制程的投片，到今年年底，HBM将占先进制程比重达35%。而且以HBM的发展进展来看，今年HBM3E将是市场主流，集中在今年下半年出货。目前SK海力士依旧是主要供应商，与美光均采用1beta nm制程，两家现已正式出货给英伟达。
此次，三星如果真的通过英伟达的测试，那三大主要HBM供应商都将成为英伟达的供应商，这样符合英伟达的利益，加入更多的HBM供应商，可以帮助他更妥善且健全地进行供应链的管理。
除了HBM3E产品可能通过英伟达测试，美国政府最近也给三星送了一个“大礼”。近期，有外媒报道称，美国政府即将发布外国直接产品规则（Foreign Direct Product Rule，FDPR）的扩展规则。这一规则将进一步阻止美国势力范围内的国家和地区向中国出口半导体制造设备。
同时，美国还计划通过FDPR限制三星和SK海力士等韩国企业，向中国企业供应高性能HBM芯片。如果实施，新规则将涵盖HBM2及更先进的芯片，包括HBM3和HBM3E，以及生产这些芯片所需的工具。
受此消息影响，近日，有消息人士称，百度、华为等中国科技巨头、企业以及初创公司等都在囤积三星电子的HBM芯片，以应对美国可能得对华芯片出口限制。这将有助于中国市场在2024年上半年占三星HBM芯片营收的30%左右。
这些好消息对于三星来说，无疑是“强心剂”。但另外两家主要的HBM厂商——SK海力士和美光肯定也不会坐以待毙。
SK海力士近日也迎来一个“好消息”，8月6日，美国商务部和SK海力士签署了一项价值10亿美元的协议，用于后者在美国建设HBM先进封装和研发工厂。据悉，SK海力士将获得美国4.5亿美元的初始拨款和5亿美元的贷款，另外，SK海力士还预计将像其他在美国建厂的公司一样享受25%的税收抵免。
该工厂位于美国印第安纳州的西拉斐特，总投资额预计将达38.7亿美元，计划于2028年下半年开始大规模投入生产。
另一家HBM厂商美光也在铆足劲地追赶SK海力士。据日经亚洲6月报道，美光正在全球多个生产基地扩建或计划扩建HBM内存产线，以期在AI浪潮中从处理器厂商手中拿下更多利润丰厚的订单。
美光目前最大的HBM内存生产基地位于台湾地区台中市，其正在台中厂区增加产能。另外，美光目前也正在其位于美国爱达荷州博伊西的总部扩建与HBM相关的研发生产设施，包括技术验证产线和量产线。此外，美光还考虑首次在马来西亚建设HBM生产能力。
美光表示，其目标是到2025年将在HBM领域市场的市场份额快速提升至约20%。制定这样的目标可见美光的野心。因为据TrendForce的数据，美光2023年的HBM内存晶圆的产能还仅占总体市场的约3%。
另外，近期也有消息称美光正在研发的下一代HBM在功耗方面比SK海力士和三星电子更具优势。美光的新HBM产品在低功耗性能评估中表现出了优异的成绩。
随着生成式AI和大模型技术的快速发展，全球算力需求迎来爆发式增长。HBM作为核心器件之一，其高带宽、高容量和低延时的特性使得它成为满足AI大模型训练推理过程中数据处理速度需求的关键。目前，全球HBM市场高度集中，主要由SK海力士、三星电子和美光三家存储大厂主导。随着三星也通过英伟达的测试认证，这一市场的竞争将越来越激烈。但美国可能将对中国市场的HBM限制措施，也将会给这一市场带来一定的变数。未来的HBM仍会保持三足鼎立，还是会有新的玩家入场，拭目以待。
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