碳化硅，逆势扩张

碳化硅市场又变天。

昨日，英飞凌传闻许久的“全球最大的SiC工厂”，位于马来西亚的居林第三厂区（Kulim 3）一期正式启用。该阶段聚焦碳化硅（SiC）功率半导体的生产，也将关注氮化镓（GaN）外围晶圆。

这个SiC工厂，到底有多夸张？2022年，英飞凌一期建设计划投资达20亿美元，而后又在2023年宣布价值50亿美元的二期计划。2028年，Kulim 3会成为全球最大、最高效的8英寸碳化硅功率半导体晶圆厂。

随着8英寸碳化硅（SiC）工艺日趋成熟，不少SiC厂商开始加速6英寸向8英寸转型。总之，这个市场，又要“卷”起来了。

电子工程世界（ID：EEWorldbbs）｜出品

目前，Wolfspeed是全球8英寸SiC走得比较快的厂商，自2022年启用纽约州莫霍克谷的全球首座8英寸SiC晶圆厂以来，两年期间几乎只有这家厂商实现8英寸SiC规模量产。

自2015年Wolfspeed首次展示样品以来，8英寸SiC衬底已经经历了7～8年发展历史，近两年技术和产品开发明显加速。

很快Wolfspeed就要面临更多压力。

首先，是安森美8英寸即将量产。日前，外媒报道现实，安森美计划于今年晚些时候推出8英寸SiC晶圆，并于2025年投产。

安森美总裁兼首席执行官Hassane El-Khoury表示：“今年将完成8英寸晶圆的认证，这包括从衬底到晶圆厂的整个流程。8英寸SiC的认证将在今年通过。正如最近与大众汽车集团达成的供应协议所反映的那样，我们也在继续加强我们在汽车领域的碳化硅地位，同时与欧洲、北美和中国的领先全球原始设备制造商（OEM）一起扩大生产。”

针对8英寸SiC，安森美于2023年10月完成其位于韩国富川的先进SiC超大型制造工厂的扩建。据悉，该工厂满载时，每年能生产超过100万片8英寸SiC晶圆。富川SiC生产线目前主力生产6英寸晶圆，后续完成8英寸SiC工艺验证后，将转为生产8英寸晶圆。

其次，是Resonac，其8英寸SiC外延片即将商业化。日媒报道称，Resonac的8英寸SiC外延片品质已经达到了6英寸产品的同等水平。目前，正在通过提高生产效率来降低成本，样品评估已经进入商业化的最后阶段。预计一旦成本优势超过6英寸产品，Resonac就会开始转型生产8英寸产品。

Resonac凭借在SiC单晶衬底上形成SiC外延层的技术优势，拥有非常可观的SiC外延片市场份额，并向高端市场供应SiC外延片。Resonac开发的8英寸产品与其供应给高端市场的6英寸SiC外延片拥有相同品质。Resonac目前面临的挑战仅有成本问题，公司正通过设置最佳参数和用料，来缩短生产时间并提高产量。

值得一提的是，除量产8英寸SiC外延片外，Resonac还将在2025年开始量产8英寸碳化硅衬底。

过去两年中，全球半导体行业经历了一场寒冬，多种类型芯片因此陷入困境，而碳化硅（SiC）绝对算是逆势而上的典型代表之一，加大投资、建厂扩产、抢占市场，是碳化硅行业过去几年来的真实写照。

随着产能扩张、技术突破、国产化推进、规模效应，SiC芯片价格反而开始下降，导致行业面临巨大挑战。

虽然市场不错，但极度内卷的市场，想要抢占市场，就要有压缩自己的成本。为了规模化降低SiC成本，8英寸是一条捷径。根据中国SiC衬底制造商TankeBlue半导体的测算，从4英寸升级到6英寸预计单片成本可降低50%；从6英寸到8英寸，成本预计还能再降低35%。

所以全世界都在决战8英寸SiC。全球的8英寸晶圆产能也会达到一个全新的高度，预计全球8英寸晶圆厂月产能将增至690万片，以满足5G、汽车、物联网领域等相关芯片的强劲需求。

具体从厂商的动作来看，国外方面：

• 2024年4月，Wolfspeed与采埃孚联合投资建设的德国工厂建设计划宣布或被推迟，最早将于2025年开始启动建设，预计2027年开始投产。

• 英飞凌计划投资50亿欧元扩建其位于马来西亚居林的晶圆工厂，目标是打造成为全球最大的8英寸碳化硅晶圆厂，并在奥地利菲拉赫工厂进行8英寸升级改造，以支撑其在本十年末实现30%的SiC市场份额目标。2024年6月，英飞凌已完成马来西亚工厂第一阶段的建设，8月正式启用第三厂区，并于今年年底开始生产。

• 意法半导体（ST）宣布从2024年开始升级至8英寸晶圆。2024年5月，意法半导体位于意大利卡塔尼亚的8英寸碳化硅晶圆厂开建，计划2026年生产，2033年满产，产能72万片/年。同时，意法半导体与国内企业三安光电合资在重庆建设8英寸生产基地。2024年4月，安意法半导体（中国重庆）宣布8英寸碳化硅项目主体结构封顶，预计8月份将实现流片投产，全厂建成后，产能为52万片/年。

• 6月，EYEQ Lab 宣布，其将在韩国釜山建立8英寸碳化硅晶圆厂，投产时间为2025年9月，规划产能为14.4万片/年。

• 环球晶圆称预计将在2024年第4季度开始小批量出货8英寸SiC产品，2025年实现大幅增长，到2026年8英寸晶圆占比将超过6英寸晶圆。

国内方面，也在加大8英寸SiC产能：

• 4月20日，芯联集成（中国浙江）完成了8英寸碳化硅工程批顺利下线，该产线为6/8英寸兼容碳化硅MOS芯片产线，全面建成后产能将达到6万片/年。标志着8英寸碳化硅晶圆已经进入国产阶段。

• 5月，湖南三安半导体透露，目前碳化硅项目一期已全部投产，产能达25万片/年（折合6英寸）；项目二期正稳步推进中，将导入8英寸生产设备和工艺，计划今年三季度投产。整个项目产能为48万/年。

• 6月，士兰微8英寸碳化硅晶圆厂在厦门开建，项目分两期建设，满产产能预计为72万片/年。

TrendForce统计显示，目前，6英寸SiC衬底仍是主流，但8英寸衬底已经开始渗透市场，例如，Wolfspeed 2023年7月宣布其8英寸工厂已开始向中国终端客户批量出货SiC MOSFET，侧面说明其8英寸SiC衬底的批量出货；天科合达也已经开始小批量出货8英寸衬底，预计2024年可形成中批量出货。

截至2024年6月，全球已有30家企业正在或计划推进8英寸SiC晶圆产线建设，其中中国企业就有13家。

除了已实现量产的Wolfspeed，还有7家SiC衬底、外延、器件厂预计在今年或未来1～2年实现8英寸衬底的量产。

从碳化硅产业长期发展来看，亟需快速解决8英寸碳化硅量产化和降本难题，以加快市场的快速发展，这需要整个产业链的协同合作和技术创新。

可以预见的是，很快，就有巨量的SiC产能即将释放，神仙打架的市场只能说SiC又要更卷了。

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