EZ-CUBE3用户手册[4-2]如何在RA微控制器上使用EZ-CUBE3（1）

本节描述了使用EZ-CUBE3进行片上调试的系统配置，启动/关闭顺序和调试中的若干注意事项。

表4.2 调试功能

4.2.3.1 打开或创建工程

（1）打开e²studio开发环境。

（2）打开已生成的RA工程或者创建RA新工程。

打开已生成的工程。

（3）编译代码

点击“Build”按钮，对代码进行编译。编译成功后，代码准备结束。

4.2.3.2 硬件连接仿真器与目标板

（1）EZ-CUBE3仿真器开关设置。

4.2.3.3 e²studio环境下设置调试工具

（1）在“调试配置”中选择“E2 Lite（ARM）”调试工具。

4.2.3.4 e²studio环境下下载和调试程序

（1）点击“Launch in ‘Debug’ mode”按钮。

（1）RESET状态

在[Connection Settings]选项卡页的[Connection]下，确保[Hold reset during connect]选择[Yes]。

当选择[Yes]时，在连接到仿真器调试器期间，仿真器将保持 MCU的RES#引脚上的低电平输出，并将MCU置于OCD模式。然而，为了启动MCU的内置调试电路的操作，仿真器在连接时释放复位约50毫秒，用户程序在此期间自动运行。

图4.6 [Hold reset during connect]的设置

（2）Startup模式

连接仿真器调试器后，处理用户系统上的引脚，使MCU的启动模式为单芯片模式。

在单芯片模式下，MD引脚处于高电平。在SCI/USB引导模式下，无法正确连接仿真器调试器。

（3）重写ID代码后的调试

如果ID代码（OSIS寄存器）已被重写，请输入新的ID代码。

这里，要输入的ID代码是指要在[Connection Settings]选项卡页的[Connection]下的[ID Code （Bytes）]中输入的值。

图4.7 [ID Code（Bytes）]的设置

包含DLM设施的设备，如RA6M4组的设备，不具有ID码认证功能。

（4）输入ID代码的ALeRASE命令

如果在[ConnectionSettings]选项卡页的[Connection]下的[ID Code（Bytes）]中输入ALeRASE命令（FFFFFFFFFFFFFFFFFF45534152654C41），则在连接仿真器调试器时，代码闪存和选项设置内存将被擦除。有关输入ALeRASE命令的详细信息，请参阅e²studio帮助系统中的E2/E2 Lite（RA）Connection Settings。有关ALeRASE命令可用的条件，请参阅所用MCU的硬件手册。如果输入ALeRASE命令，则仿真器调试器已连接，而该命令在MCU上不可用，则会显示错误消息“Failed to erase all flash memory by the ID for erase all flash memory.”，连接过程将暂停。

由于RA6M4组等设备具有DLM设施，因此没有ID码认证，也无法使用ALeRASE命令。

（5）连接速度

仿真器与目标板的连接速度在以下上限值内指定。

—SWD（E2 Lite）：6000kHz

图4.8 设置连接速度

当选择“Auto”时，将自动设置连接的最大速度。

• 将数据下载到闪存

• 在闪存中使用软件中断功能

（a）设置和取消断点

（b）从断点执行或单步执行程序

（c）从设置中断的状态使用“Run to Line”功能

（1）闪存重新编程程序

由于仿真器调试器启用涉及闪存重新编程的调试操作，仿真器将用于重新编程闪存的程序写入片上SRAM并执行该程序以重新编程闪存。闪存重新编程后，仿真器调试器将片上 SRAM恢复到初始状态。

（2）用于重新编程闪存的程序分配目标

默认情况下，用于重新编程闪存的程序从SRAM0区域开始的地址（或对于不包括SRAM0区的设备，SRAMHS区域开始的位置）分配到5-KB的空间。如果由于安全设置或 DMAC/DTC传输注而导致默认分配目标不可用，请在仿真器调试器的[Debug Tool settings]选项卡页上的[Flash]下，输入片上RAM中可用空间的起始地址，单位为1000h字节。

注：即使在break期间，DMAC或DTC仍将继续运行。注意DMAC或DTC的传输源或目的地不在要分配程序的工作 RAM的地址范围内。

图4.9 [Work RAM Start Address]的设置

当设备包含TrustZone^®功能（例如，RA6M4），且仿真器调试器连接到具有调试访问级别DBG1的设备时，请勿部署用于重新编程闪存的程序。

（3）在重新编程闪存的程序执行期间中断和重置

当正在执行重新编程闪存的程序时，除不可屏蔽中断之外的中断将被屏蔽。此外，为了正确执行用于重新编程闪存的程序，在执行程序之前设置的所有中断源标志都被清除。

如果发生不可屏蔽中断，仿真器将继续运行程序以重新编程闪存。如果在执行重新编程闪存的程序时发生reset，仿真器将显示错误消息并停止处理。由于这样做可能会损坏闪存的内容，因此在程序运行时不要执行reset。

（4）将数据下载到闪存的条件

当MCU满足以下所有条件时，可以继续将数据下载到闪存。

（a）MCU的代码闪存处于读取模式。

（b）MCU的系统时钟（ICLK）频率为1MHz或更高

注：对于仿真器调试器的[Connection Settings]选项卡页中的[Clock]，当[Permit Clock Source change on writing on-chip Flash Memory]选择[Yes]时，可以排除条件（b）。

图4.10 设置[写入片上闪存时允许时钟源更改]

如果在不满足任何条件的情况下将数据下载到闪存，仿真器将显示错误消息并停止处理。在这种情况下，在CPU复位后重新开始将数据下载到闪存，或在检查其设置后重新连接仿真器调试器。

（5）将数据下载到安全区域

当将数据下载到为安全MPU指定的安全区域时，在仿真器调试器的[Debug Tool Settings]选项卡页面中，为[Flash]选择[Yes]，为[Erase on-chip program Flash before download]。

图4.11 [Erase on-chip program flash before download]]

的设置

（6）访问窗口功能

当要使用MCU的访问窗口功能时，只能在指定的访问区域重新编程闪存。

（7）在闪存中使用软件中断的条件

当MCU满足以下所有条件时，将启用闪存的软件中断功能。

（a）MCU的代码闪存处于读取模式。

（b）MCU的系统时钟（ICLK）频率为1MHz或更高

（c）对于[Debug Tool Settings]选项卡页面中的[Break]，[Use Flash Breakpoints]选择了[Yes]。

图4.12 设置[Use Flash Breakpoints]

图4.13 设置[写入片上闪存时允许时钟源更改]

如果在不满足任何条件的情况下使用软件中断功能，仿真器将显示错误消息。在这种情况下，使用硬件中断或确认满足上述条件（a）至（c）。

（8）闪存I/O寄存器

在涉及闪存重新编程的调试操作之后，仿真器调试器将重写闪存I/O寄存器的值。

（1）用户程序覆盖软件断点

如果软件断点被用户程序覆盖，则即使程序运行通过地址，程序也不会停止。在这种情况下，在目标片上SRAM被程序重写后设置软件断点。