IEDM始于1955年，今年是第70届。
IEDM2024主题：Shaping Tomorrow’s Semiconductor Technology塑造未来的半导体技术
近日，IEDM2024官网发布了会议议程，公布了论文录用情况。
据芯思想研究院（ChipInsights）统计，IEDM2024共录用274篇论文，分布在40个Technical Session中，包括5个Focus Session；同时还设有Keynote Session和Evening Panel。
274篇录用论文中，亚洲有155篇入选，美洲有71篇入选，欧洲有48篇入选。
按第一作者所在机构统计，274篇论文共来自111个机构，其中高校67个，科研机构13个，工业界有31个。从入选机构数量来看，论文分布越来越分散；但近年入选数量最多的机构还是相对集中，北京大学、台积电、IBM、imec、三星、英特尔、中科院微系统所、清华大学、斯坦福大学、新加坡国立大学和KAIST机构等一直维持较高水准。
高校方面：北京大学以15篇位居第一名，连续四年位居高校论文入选数第一名；斯坦福大学、新加坡国立大学和韩国KAIST以9篇并列第二；佐治亚理工以8篇位居第五。
科研机构方面：比利时imec以18篇入选居第一位；中科院微电子所以6篇位列第二；CEA-LETI以4篇列第三；中科院上海微系统所以2篇位居第四。
工业界方面：台积电以15篇位居第一，三星以9篇列第二，IBM以8篇列第三，英特尔以7篇列第四，索尼以5篇排第五。【注：台积电15篇论文有12篇来自中国台湾，3篇来自美国；IBM的8篇论文有5篇来自美国，3篇来自欧洲】
按第一作者和机构所在国家统计，共有15个国家有论文入选，中国（包括中国内地、中国台湾、中国香港）入选91篇，美国入选71篇，韩国入选32篇，比利时入选22篇，日本入选21篇，新加坡入选10篇，法国入选8篇，瑞士入选7篇，意大利入选4篇，德国、英国各入选2篇，奥地利、爱尔兰、孟加拉、瑞典各入选1篇。【孟加拉国首次有论文入选，是一个新兴的力量】
Technical Session
40个Technical Session中设有5个Focus Session（3，14，21，28，33），分别聚焦：人工智能时代内存的技术与架构；新兴神经接口技术；先进封装；半导体创新；新兴电力电子的集成。5个Focus Session共有了34篇论文，来自中国内地的只有1篇。
在Technical Session 2中，GAA或3D堆叠方向录用了8篇论文，分别是台积电有2篇，台湾大学有1篇，英特尔有1篇，IBM有2篇，imec有2篇。三星竟然没有1篇入选。
台积电的一篇论文（2.1 2nm Platform Technology featuring Energy-efficient Nanosheet Transistors and Interconnects co-optimized with 3DIC for AI, HPC and Mobile SoC Applications）介绍了处于风险生产阶段的N2制程，表示相较N3，在相同功耗下，速度增快~15%，或在相同速度下，功耗降低~30%，同时集成度达1.15倍。台积电的第2篇论文（2.5 First Demonstration of Monolithic CFET Inverter at 48nm Gate Pitch Toward Future Logic Technology Scaling）中，Sandy Liao在IEDM2023的文章基础上，今年再发文章，介绍mCFET（monolithic complementary field-effect transistor）的技术进展，关键突破包括垂直偶极子图案化、垂直金属化漏极局部互连以及背侧中线接触和互连集成，标志着CFET技术开创性的一个重要里程碑，为未来的逻辑技术扩展和PPAC的进步铺平了道路。
英特尔的一篇论文（2.2 Silicon RibbonFET CMOS at 6nm Gate Length）展示了栅极长度（LG）为6nm的RibbonFET CMOS晶体管特性，Nanoribbon的Si层厚度缩放被证明可以改善短沟道效应，而不会对3nm以下的性能造成损失，
imec的一篇论文（2.4 Double-Row CFET: Design Technology Co-Optimization for Area Efficient A7 Technology Node）则指出CFET器件架构有望在后FinFET时代实现功率、性能和面积可扩展性，double-row CFET较middle-of-line工艺简单，且有40%的面积和约12%的功率扩展潜力。
中国论文情况
IEDM2024中国内地有58篇入选，中国台湾有26篇入选，中国香港有7篇入选。
按第一作者所在机构统计，中国内地的58篇论文来自24个机构，其中有7家机构是第一次入选，包括3所高校（湖南大学、华南理工大学、中国科学院大学）、2个科研机构（中电科55所、中国科学院脑科学与智能技术卓越创新中心）以及2个工业界（驰拓科技、致真存储），我国论文入选单位达到40个。说明：北京大学15篇包括集成电路学院13篇，电子学院2篇；清华大学6篇包括集成电路学院4篇，电子工程系2篇；东南大学有1篇来自材料学院；北京航空航天大学有1篇来自杭州创新研究院。
中国台湾的26篇论文来自7个机构，包括台积电、台湾工研院、台湾大学、台湾清华大学、、台湾阳明交通大学、台湾中央大学、旺宏；中国香港的7篇分别来自香港大学3篇，香港科技大学4篇。
我国在新型存储领域取得新突破，驰拓科技在论文中提出适合大规模制造的新型无沟道SOT-MRAM，比特率超过99.9%，临界开关电流降低了16.5%；致真存储在论文中首次展示了基于CMOS集成128 Kb反铁磁体的MRAM，具有超强的抗干扰特性；上海科技大学、香港科技大学的论文都和凌存科技合作，在VC-MRAM取得突破。
我国在新型器件的安全和可靠性领域大放异彩， Session19录用了7篇文章，北京大学入选了3篇，中国科学院大学（中科院微电子所）入选1篇。北京大学（2.1）论文提出了一种用于物联网客户端的使用FeFET阵列的同态加密电路，实现了99.6%的准确率、13us的延迟和每数论变换2.72nJ的低能耗；北京大学（2.2）论文利用MOSFET的可变性，在存储器电路中创建了一个基于28nm RRAM的不可克隆双加密计算；北京大学（2.3）论文提出了一种基于40nm 1 Mbit RRAM芯片的多功能网格密码系统，包括公钥生成、加密和解密。中国科学院大学（2.4）论文利用功函数工程和O3等离子体处理开发了具有宽存储窗口和高耐久性的完全BEOL兼容的IGZO FeFET。
