今日，博世发布官微称，公司正式对市场推出新一代SiC功率模块PM6。根据官微披露的信息，PM6拥有多项优势，其高效的芯片模组，采用博世自研第二代沟槽型SiC技术，单位面积导通电阻相较上一代降低30%，短路鲁棒性进一步得到提升，支持400V/800V系统平台。结合其创造性结构设计，可以支持不同芯片数量并联，实现灵活的输出功率范围，峰值电流输出如下：- 460 V （系统层级）/ 750 V （芯片层级）/ 最高 800 ARMS
- 920 V （系统层级） / 1200 V （芯片层级）/ 最高 600 ARMS
PM6之所以能成为汽车功率电子领域的颠覆者，不仅在于先进的芯片特性。PM6的独特的功率端子连接设计，结合先进的激光焊接技术，可以大幅降低功率回路寄生电感。同时，PM6的信号连接器设计可灵活调整引脚选项（兼容press-fit 和solder pin），赋予系统用户更多设计空间。
PM6采用行业领先的转模塑封工艺，其内部独特的三明治结构，减少了模块尺寸，采用热膨胀系数（CTE）匹配的材料组合，结合芯片双面银烧结技术，极大提升了功率模块可靠性，增加了模块使用寿命。
在PM6内部，其对称的电气布局和芯片之间的低杂感在抑制了高频振荡的同时，使模块内寄生电感达到行业领先水平（ESL<4nH），减少了功率回路与门极回路之间的磁耦合，赋予模块优异的动态开关特性，帮助系统提高开关频率，降低开关损耗，实现更高功率密度。
PM6能够帮助客户实现高效率的逆变器设计，峰值效率超过99%，WLTP行驶里程提升多达6%，有助于降低新能源汽车整车成本。
PM6支持灵活的散热器设计选项，例如采用各种材料的封闭式和开放式散热器（如下图所示），可根据用户特定要求进行定制。
2019年10月，博世在德国正式宣布其开始碳化硅相关业务，并于2021年底起就在德国罗伊特林根工厂大规模量产碳化硅芯片。
博世拥有自己的碳化硅产品研发线，可提供包括裸片、分立器件、驱动器和模块等碳化硅相关高功率器件。产能扩张方面，2022年7月，博世宣布，到2026年前，将在半导体业务上投资30亿欧元。作为投资的一部分，博世将投入超过1.7亿欧元在德国罗伊特林根和德累斯顿建立两个全新的芯片研发中心。此外，博世还将在未来一年内再投入2.5亿欧元，在德累斯顿晶圆厂增设3000平方米的无尘车间。博世的罗伊特林根的半导体中心在有计划地扩建中，到2025年，博世将再投资约4亿欧元用于扩大产能，并将现有工厂空间转换为新的无尘车间。这包括在罗伊特林根工厂新建一个3600平方米的超现代无尘车间。整体而言，到2025年底，罗伊特林根的无尘车间将从目前的约35000平方米扩建到44000平方米以上。未来，博世还将继续扩大碳化硅功率半导体的产能，旨在将产出提高至上亿颗的水平。除此之外，为了满足市场对碳化硅芯片日益增长的需求，博世计划收购美国芯片制造商TSI半导体的部分业务。在接下来的几年内，博世将对其位于美国加州Roseville的工厂投资超过14亿欧元，进行生产设施改造，全面转产碳化硅。从2026年开始，首批基于8英寸碳化硅晶圆片的芯片将在该厂投入生产。*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，碳化硅芯观察转载仅为了传达观点，仅代表碳化硅芯观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系碳化硅芯观察。
