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采用TO-247PLUS-4-HCC封装的CoolSiC™ MOSFET 2000V分立器件,爬电距离为14mm,电气间隙为5.4mm。基于第一代增强型沟槽栅技术,该产品在电压等级上实现了向上拓展,成为市面上首款击穿电压达到2000V的碳化硅分立器件,适用于最高1500 VDC的高直流电压母线系统。凭借.XT扩散焊技术,这款产品可提供一流的散热性能,以及高防潮性,不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也能确保系统的可靠性。
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CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅采用了增强型M1H Trench SiC MOSFET芯片技术,搭载EasyPACK™ 3B封装和62mm两种封装。其中,DF4-19MR20W3M1HF_B11是第一个采用EasyPACK™ 3B封装的2000V CoolSiC™ MOSFET功率模块,适用于1500V光伏系统。实际应用中,通过使用该产品,两电平可以取代三电平的结构,在轻载下,Boost升压效率提高了1%,而在所有工作条件下,升压效率平均提高了0.5%。它实现了更简单的解决方案,减少了器件的数量,同时提高了功率密度,降低了1500 VDC应用的总系统成本。
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62mm CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅半桥模块,优化了VGS(th)、RDS(on)漂移和栅极驱动电压范围等SiC MOS关键性能。该产品VGS(th)最大正负栅极源极电压分别扩展至+23V和-10V,同时增大了推荐栅极驱动电压的范围,+15...+18V和0...-5V。过载条件下的Tvjop最高可达175℃,与市场同类产品相比,62mm CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅半桥模块具备高频、耐高压、耐高温、低损耗、抗辐射能力强等显著优势。
作为全球功率系统的半导体领导者,英飞凌已在产品布局、产能、应用等方面全面涵盖第三代半导体关键材料。在碳化硅方面,英飞凌拥有优异的沟槽栅工艺以及全新的.XT技术,凭借在碳化硅领域长达二十余年的丰富经验和深厚技术积淀,英飞凌无疑是业界最有竞争力的技术供应商之一。未来,英飞凌科技将继续致力于技术创新和产品优化,为全球客户提供更多高性能、高可靠性的产品解决方案,继续推动碳化硅产品、技术在新应用中的的持续发展和创新。