直播回顾｜2024TI高压研讨会与您共同解锁高压技术的潜能

霍尔电流检测以其体积小、设计简单、电气隔离度高并且成本相对低的优势成为未来高压大电流检测的趋势。目前市场上的霍尔产品常温精度表现尚可，但是全温区以及全使用寿命漂移很大造成大家普遍认为霍尔精度低的误解；TMCS 系列能够有效解决漂移问题，从而满足更多高精度高稳定性的需求的应用，并且免除后期做精度校对的需求，有助于加快工程时间、减小隔离方案和高精度设计的工程量。

高压电流检测注意哪些参数呢？

高压电流检测主要需要考虑隔离电压、最大测量电流（是直流还是交流）、最大带宽，以及对精度的要求（关注数据册上的 sensitivity 和 offset 以及漂移参数）。

TMCS1123 系列是否提供评估板？如何购买？

TI 的 TMCS 系列均提供评估板，可以通过登录官网 (TI.com/CurrentSensing) 或者搜索 TMCS 直接购买。所有最新推出的 TMCS 产品信息和使用资料都会及时推送到我们的网站，有任何问题也可以联系我们的销售或者通过官网 TI E2E 直接进行产品技术咨询。

新一代逆变器需要更多的控制能力和更高的感测精度，哪些产品具备这些特点？

TI 的 AM263P MCU 4 核 400Mhz 内置旋变硬解码模块，能够提供更强运算能力；而 4MHz 12bit ADC 可以帮助设计人员提升检测精度与速度。

在轻量化方向上，TI 是否有能够降低牵引逆变器重量的设计方案？

TI 的隔离偏置电源芯片 UCC14240 内部集成无磁芯变压器，相对于传统方案，在体积与高度方面都有极大的优化。

TI 的 UCC5880-Q1 碳化硅栅极驱动器的优势有哪些？

• 3 档驱动电流动态切换功能可以尽可能减小开关损耗，提升系统效率

• SPI 寻址模式帮助减少 IO 使用

• 门级导通阈值检测功能帮助评估功率器件健康状态

TI 新隔离技术光耦仿真器与传统光控继电器在应用方面有何区别？

• 采用高可靠性的 SiO2 电容隔离方案而非传统光耦技术

• 避免了光耦技术随温度变化的问题，能够实现全温度范围内的高稳定性

• 基于可靠的隔离材料大大提高隔离可靠性，同时无需大驱动电流，降低系统的功耗

ISOM86xx 能否应用在 ATE 的 PMU 中？

可以，ISOM86xx 器件的超低关断漏电流和高可靠性都非常适合测试测量领域，在工厂自动化、楼宇自动化、工业控制器 IO 模块中都同样适用。

TI 的固态继电器适用于哪些行业或者领域？

TI 的隔离固态继电器 TPSI2072-Q1/2140-Q1 主要针对电动汽车和工业高压应用设计，内部集成副边 MOSFET 无需次级电源，给绝缘检测以及高压预充电等应用提供超高集成度的解决方案。目前车规版本已经在官网批量供货。

数字电源和模拟电源芯片分别有哪些优缺点？

• 模拟电源优点是使用简单，无需软件编程，缺点是一种芯片只适合 1 到 2 种拓扑

• 数字电源优点是算法可编程，一个芯片可适合各种不同拓扑，灵活性高，缺点是需要编程基础

数字电源主要用到什么芯片？

本次研讨会提到有两种方案：UCD3138A 可编程数字电源控制器和 C2000 系列实时控制 MCU。UCD3138A 内置 3 个 PID 回路，编程简单；而 C2000 MCU 具备各种适合数字电源控制的外设，算法完全可编程，灵活性更强，适合各种不同拓扑。

C2000 如何更好控制功率变换？

C2000 具有多路 150ps 高精度 PWM 以及 16 位 ADC 等适合电源控制外设，内置模拟比较单元，可在 55ns 内完成硬件保护。

在使用 TI GaN 的 layout 方面有什么建议？

TI GaN 集成了驱动和 GaN FET，能够尽可能优化驱动到栅极的寄生参数并避免外部电路对 GaN 栅极的影响，所以 layout 更简单——只需要关注 GaN 环路，将电源电容靠近摆放以及建立更小的地回路来确保去耦环路最小。

压摆率可控是如何实现的？

低压 GaN (<100V) 通过在 VCC 引脚以及自举电容回路上添加电阻来限制压摆率；高压 GaN (>100V) 则有专门的引脚控制压摆率。

GAN MOSFET 内部的寄生二极管适合用作续流吗？

GaN 没有寄生二极管，但是可以通过“第三象限导通”来续流：当源漏电压大于数据表中的第三象限阈值电压时 GaN 会自动导通。