据深圳顾问公司前瞻产业研究院估计，在全球规模900亿美元的DRAM市场，长鑫存储市占率从2020年接近于零增至去年的5%。分析师预测，其增速可能「滚雪球式」扩大。
FT指出，长鑫存储也率大陆之先进军高频宽存储器（HBM）市场。HBM是运作AI系统的重要元件。
知情人士透露，长鑫存储目前在上海附近建设一座28万平方米的晶圆制造厂，将纳入生产HBM2产能。SK海力士计划今年开始量产的HBM4，长鑫存储的产品落后两代。
不过，长鑫存储扩大HBM2产能预料将进一步加剧对三星电子的压力，三星仍在设法通过辉达严格的测试，以争取HBM供应商的资格。
长鑫存储的崛起已威胁到三星、SK海力士、美光（Micron）在DRAM称霸的地位。2023年，单单这三家公司合计便占DRAM市场96%的营收。
野村亚太证券研究主管 CW Chung 说：「这不是技术优势的问题，而是产量的问题；也就是说，三星尤其受到供应过剩和芯片价格下跌的严重冲击。」
野村指出，长鑫存储积极扩大DDR4的产量，已从2022年每月7万片晶圆，达到去年每月20万片，足以取得全球DRAM市场15%的市占率。
根据顾问公司SemiAnalysis的资料，长鑫存储去年也开始量产DDR5。DDR5是由南韩SK海力士于2020年率先商业化，目前是DRAM中最先进的类别。
顾问公司TechInsights副董事长G Dan Hutcheson指出，尽管长鑫存储的全球市占率相对较小，且主要集中在中国大陆，但在高度商品化的DRAM领域的快速进展，造成了「滚雪球效应」。
Hutcheson说：「市占率越高，产量就越大，良率也越高，成本随之降低，进而再度提升市场占有率，」「这正是南韩在1980年代和1990年代将日本逼出存储器市场的方式，而现在同样情况发生在南韩身上。」
分析师指出，自2023年以来，长鑫存储也利用了美国出口管制中的漏洞取得美国先进的芯片制造设备，用来生产其最先进的芯片。此外，长鑫存储去年被美国商务部移出黑名单外，如今得以和美国业者续有生意往来。
存储芯片交流群
