韩国媒体报导，中国存储器厂商中国长鑫存储（CXMT）正在加速开发下一代 DRAM。该公司并没有按照原计划为首款商用的 DDR5 产品采用 17 奈米制程技术，而是采用了更先进的 16 奈米制程技术。此外，下一代技术 15 奈米制程技术也在现有制程基础上进行开发当中，目标是在 2025 年内开发出该技术，并最快在 2026 年下半年就能达成商业化的目标。
根据 ZDnet Korea 的报导，技术研究机构 TechInsights 近期对中国长鑫存储最新的 DRAM 制成技术作出评价时表示，先前他们拆解了中国存储器销售商 Gloway 于日前所发布的 DDR5 模块 (16GBx2 DDR5-6000 UDIMM)。结果，在该产品中发现了16 个由 CXMT 生产的 16Gb 的 DDR5 存储器。
TechInsights 的资料显示，长鑫存储的16Gb DDR5芯片尺寸为 66.99mm²，位元密度为0.239Gb/mm²。此外，长鑫存储 DDR5 的电路线宽估计为 16 奈米。长鑫存储将此产品定名为 「G4」，与上一代 G3（18 奈米）相比，DRAM 单元尺寸缩小了 20%。相较之下，韩国三星、SK 海力士等公司在 2016 年发表的 16 奈米 DRAM 制程技术 ，则将其定名为「1y」制程技术。
报导指出，长鑫储存是一家在中国政府支持下积极推动先进 DRAM 研发和产能提升的企业。主要生产的产品是采用 17~18 奈米制程的 DDR4、LPDDR4X 等较成熟产品。但是 2024 年 11 月，该公司首次在中国发表了 LPDDR5 产品。此外，在 2025 年稍早成功达成了 DDR5 商业化的目标。先前，有消息指出长鑫存储对于此次 DDR5 所采用的 G4 制程非常有信心。如今事实证明，下一代制程开发的速度比原计划的要快。
TechInsights 表示，长鑫存储一直在同时开发 17 奈米和 16 奈米的制程技术，在开发出 17 奈米制程技术之后，又紧接着完成 16 奈米制程技术的的开发。因此，首款商用的 DDR5 产品采用 G4 的 17 奈米制程技术，而是采用了更先进的 G5 的 16 奈米制程技术。
另外，长鑫存储的 G5 原计划发展 15 奈米制程技术。但受限于美国加重先进半导体制造设备的出口限制，在无法引进 EUV 先进制造设备情况下只能暂缓。不过，随着技术开发的成熟，预计利用现有设备长鑫存储也足以开发和量产下一代制程，因为即便是美光的 13 奈米 DRAM 制程技术也没有采用使用 EUV。
2019 年，三星电子和 SK 海力士开发出了称为「1z」的 15 奈米 DRAM 制程技术。目前两家公司都致力于定名为 1b 的 12 奈米 DRAM 制程技术量产。虽然在舞技础上，韩国和中国之间的存储器制程技术仍然存在着差距，但随着中国的技术进步，其差距已经越来越小。
TechInsights 强调，长鑫存储的 G5 制程技术预计在 2025 年年底开发完成，2026 年一旦完成样品，预计下半年就能看到 G5 制程技术的产品上市。不过，一开始的良率可能不会太好。而且，即便技术仍持续开发中，但长鑫存储仍从在挑战。因为先进的 DRAM 制造除了需要 EUV 等曝光技术外，还需要几种先进的生产设备，包括高深宽比 HAR 和低温蚀刻等，这些设备也因美国限制规定而难以取得。因此，中国方面目前正积极推行制程优化和现有设备的国产化，以期望能突破此一瓶颈。
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