第38届IEEE MEMS国际会议（IEEE MEMS 2025）近日在中国台湾高雄举行。本届IEEE MEMS会议上，中山大学发表的两项SAW/BAW传感器方面的重要科研进展，均来自微电子科学与技术学院柯晴青教授研究团队。
微机电系统（Micro Electro Mechanical Systems，简称MEMS）作为当代微纳传感器制造领域的核心技术，其学术发展与技术创新始终引领着智能感知领域的革命性突破。作为该领域最具代表性的学术盛会，历经38载的发展，IEEE MEMS已成为全球规模最大、学术影响力最为卓著的MEMS领域顶级国际学术会议。
本届IEEE MEMS会议上，中山大学微电子科学与技术学院柯晴青教授研究团队发表的两篇成果题目分别为“Highly Sensitive Lithium Niobate-Based SAW Strain Sensor with On-chip Temperature Compensation”和“In-situ SAW/BAW Sensors based on P(VDF-TrFE) for Strain and Temperature Measurement”，是中山大学本届会议两篇入选的科研成果。柯晴青教授与罗华煌助理教授为通讯作者，博士研究生程春龙、李笑儒分别为两篇论文的第一作者。罗华煌助理教授作为研究团队代表，赴高雄参加本届IEEE MEMS会议。
第一篇文章报道了一种基于128°Y切铌酸锂的表面声波（SAW）应变传感器，该传感器能够激发三种声波模态：一阶瑞利波（R1）、漏纵波（LL）和二阶瑞利波（R2）。我们分别对R1与LL、R1与R2进行拍频处理，实现了SAW应变传感器在25-120 ℃ 的温度范围内的片上自适应温度补偿。对于R1与R2拍频，在0-800 με的测试范围内，实测应变与参考应变之间的最大相对误差仅为5.8%，表明所开发的SAW应变传感器基本消除了温度对应变检测的影响。此外，所开发的SAW应变传感器的灵敏度为284.07 Hz/με，比文献中所报道的具有片上温度补偿能力的SAW应变传感器高出两个数量级。该研究不仅实现了SAW应变传感器的片上自适应温度补偿，还显著提高了其灵敏度，推动了SAW应变传感器在高温和密闭空间等恶劣环境中的应用。
第二篇文章提出了一种基于P(VDF-TrFE)的原位SAW/BAW传感器，可直接集成在金属表面，实现高效的温度与应变传感。表征结果表明，P(VDF-TrFE)薄膜具有优良的压电性能。该传感器能够激发多种BAW模式，其中BAW模式3的温度频率系数（TCF）高达738 ppm/°C， 而SAW模式1的TCF更是达到745 ppm/℃。此外，该传感器在SAW模式1下表现出优异的应变传感能力，在7000 με的大量程范围内保持良好线性度，灵敏度达146 Hz/με。得益于P(VDF-TrFE)材料的高热膨胀系数和优异延展性，该传感器展现出高温度灵敏度与宽应变测量范围的双重优势，在结构健康监测（SHM）以及多功能、多模态传感应用领域具有广阔的前景。
IEEE MEMS作为年度学术盛典，会议采取美洲、欧洲和亚洲三大洲轮值举办机制，聚焦微纳加工与集成技术、智能微纳传感器与执行器、微系统集成等领域的重要研究成果，旨在展示全球顶尖科研机构在MEMS前沿技术及应用方面的突破性进展。
