三星代工工艺首次应用于作为第六代高带宽存储器（HBM4）大脑的“逻辑芯片”，据报道，三星电子代工部门生产的逻辑芯片测试良率稳定，这将为在HBM技术竞争中一直落后的三星电子对12层HBM4的开发和量产提供动力。
据业内人士透露，采用三星电子代工4nm工艺生产的逻辑芯片的测试生产良率已超过40%。
一位半导体业内人士解释道，“初始测试生产良率达到40%是一个不错的数字，我们可以立即开展业务”，并补充道，“通常，（代工流程良率）从10%左右开始，随着进入量产阶段，良率会逐渐提高”。
三星电子在HBM3E（第五代 HBM）市场落后于SK海力士和美光，目前正全力投入生产HBM4逻辑芯片。HBM4逻辑芯片采用代工精细工艺，不仅可以提高芯片性能，还可以根据客户所需的设计进行生产，从而灵活响应“定制 HBM”市场。
现在，三星电子HBM4业务的成败取决于内存业务部门正在开发的10㎚级第6代（1c）DRAM，HBM4 12层产品配备1c DRAM和逻辑芯片。如果三星电子能够稳步量产1c DRAM，那么将能够在HBM4性能上取得优势。
半导体业内人士表示，“从三星电子的角度来看，剩下的任务是稳定搭载在HBM上的DRAM以及封装技术。”
另外，据韩媒日前发文称，三星计划于2025年11月量产首款采用2纳米工艺的Exynos 2600芯片。若Galaxy S26机型能顺利搭载Exynos 2600，三星有望借此展示 2 纳米技术实力，吸引更多客户。
据透露，这得益于新任Foundry事业部负责人韩真晚（Han Jinman）上任后取得重大进展。他上任仅四个月，便着手优化生产良率并调整经营策略，全面检视了 2 纳米工艺的生产线和运营模式，不仅巩固技术优势，还拓宽了市场布局。
在2nm制程进展顺利的同时，三星已经制定更为远大的目标则是1nm制程，并且已成立团队负责1nm制程的开发计划，预计量产时间将是2029年。
据悉，Exynos 2600芯片采用Gate-All-Around（GAA）技术，相较传统FinFET工艺更先进。这种技术通过四面环绕晶体管结构，提升芯片性能并降低功耗，适合高性能芯片需求。
三星此前已率先实现3纳米GAA量产，但受限于低良率，未能扭转代工业务的亏损局面。据悉，2纳米工艺的良率已从年初的20-30%提升至40% 以上，远超 3 纳米时期的表现。
业界认为，若Exynos 2600按计划搭载于2026年一季度发布的Galaxy S26，将为三星代工业务注入强心剂，助力吸引外部客户。
不过，相比三星的2nm制程，台积电的2nm制程进度似乎更快，传闻目前良率已经达到了80%，也将会在今年下半年量产，并且已经开始接受客户订单。
