有猜测称，长鑫存储（CXMT）今年的 DRAM 产能将大幅超出最初的预测。若此趋势持续，长鑫存储的DRAM产量预计将紧随美光公司，并有望达到SK海力士的一半。也有预测称，1-2年内DRAM市场将从三方格局重组为四方格局，供给过剩将成为现实。
据市场研究公司Omdia 于4月18日最新统计，长鑫存储今年预计DRAM产量为273万片（以晶圆计），较去年（162万片）增长68%。此前市场曾预测长鑫存储今年的DRAM产能将增加20%，但预计扩张速度将是这一数字的三倍以上。 CXMT 预计将增加 DDR5 以及传统 DRAM、DDR4 的比例。
截至去年第一季度，长鑫存储的月平均DRAM产量仅为10万片左右。这是 SK Hynix 规模的四分之一。而且大部分产品都是DDR4 DRAM。但今年第一季度产量较上年翻了一番，达到平均每月20万片，预计明年将增至30万片。
CXMT 去年大幅提高了 DDR4 产量并降低了价格，已成为 DRAM 市场上一股不容小觑的力量。三星电子、SK海力士、美光公司近15年来形成的三足鼎立格局开始出现裂痕。三星电子、SK海力士去年也在财报电话会议上提到，中国DRAM的低价攻势正在影响他们的业绩。
CXMT 成立于 2016 年，多年来取得了长足的进步，不仅成功量产了老款 DRAM，还成功量产了 DDR5 DRAM，后者是三星电子和 SK 海力士的旗舰产品。包括TechInsight在内的一些市场研究公司分析称，长鑫存储的DDR5性能与韩国并无太大差距，这与中国在技术上落后韩国3-4年的评估相反。
根据中国咨询公司前瞻的数据，长鑫存储的 DRAM 市场份额从 2020 年的 0% 上升至去年的 5%。另一家市场研究公司 TrendForce 预测，到今年年底，长鑫存储的 DRAM 市场份额可能增至 12%。研究公司 TechInsights 副总裁 Dan Hutchison 在接受英国《金融时报》采访时表示，“CXMT 的市场份额仍然很低，但其快速增长正在产生‘滚雪球效应’”，并补充说，“这就是韩国在存储器领域取代日本的方式。”
与此同时，长鑫存储也在高带宽存储器（HBM）的研发上进行大规模投入。现代汽车证券近日在报告中预测，“中国DRAM企业正在开发HBM3（第四代HBM）和HBM2E（第三代HBM），因此中国HBM将在未来2-3年内搭载于华为Ascend系列芯片上”。
