插播：英诺赛科、能华半导体、致能半导体、京东方华灿光电、镓奥科技等已确认参编《2024-2025氮化镓（GaN）产业调研白皮书》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。
当前，碳化硅衬底价格下降压力较大，亟需降本。传统切割工艺普遍依赖传统多线切割技术，但该工艺效率低、材料损耗，很难满足6-8英寸大尺寸碳化硅晶锭加工需求，尤其是在12英寸光波导碳化硅镜片制备的难度较大。
针对激光剥离技术量产化难题，大族半导体以三大突破性技术破局：
● 低电阻晶锭全兼容：突破低电阻率晶锭激光加工瓶颈，实现导电型衬底电阻率需求全覆盖；
● 砂轮损耗降40%+：采用LaserMesh™界面技术精准控制剥离面形貌（粗糙度≤2μm，TTV<10μm），结合界面软化工艺，大幅降低后续减薄成本；
● 12英寸量产突破：全球率先实现12英寸导电/半绝缘晶锭激光剥离量产，推动大尺寸衬底迈向“低成本、高良率”时代，为光电子、射频器件降本奠基。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
