作为宽禁带半导体的代表,碳化硅以其独特的材料特性正在重塑功率电子领域。与传统硅基半导体相比,碳化硅的禁带宽度更大(>2eV),这使得它在高压、高温环境下仍能保持高效运作,同时显著减小器件体积和重量,英飞凌自2001年推出首款SiC功率器件,在保证可靠性的同时实现超低导通损耗。
英飞凌专家Eva Gabriel做客《Podcast4Engineers》深入剖析了碳化硅材料特性、应用场景及行业价值。从电动汽车快充到光伏发电的高效转换,从数据中心的节能运行到工业电机的精准控制碳化硅的应用优势在不同领域各显神通。现在,这场深度对话已完整上线,点击收听完整播客:
下一期播客英飞凌专家Christian Stringer将深入介绍碳化硅的特性及其生产工艺,敬请关注!
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