最近韩国媒体对于中国半导体产业，或是极度“贬低”，或是极力“捧杀”。最近由于国产半导体的进步和发展，明显“捧杀”的次数越来越多了。·最近4月25日，韩国媒体《Newdaily》又预测认为：中国存储器半导体公司可能在两年内开始量产第五代HBM（高带宽存储器）“HBM3E”。为规避美国管制而大力开发通用存储器技术的中国，最近成功实现DDR5量产，凭借着正在加速AI投资的中国国内市场，中国国内市场正在快速增长，预计将对韩国存储器领先地位构成威胁。同时认为，中国某国产存储巨头将在2年后，也就是2027年量产最新的HBM技术HBM3E；另外近期长鑫存储采用15纳米工艺开始生产最新DRAM DDR5，也令韩国存储器行业感到到紧张。事实是否真的如韩国媒体“捧杀”的，国产HBM和DDR5可以直接威胁到国产存储巨头——三星和SK海力士了呢？答案当然是否认的，目前无论在技术、产品以及市场等方面，韩国两大存储巨头依然主导了全球的存储半导体市场。最近固态技术协会（JEDEC）近期正式发布了HBM4标准。作为HBM3的升级版，HBM4进一步提升了数据处理速率，同时保持更高带宽、更高能效及每颗芯片/堆叠的容量等基本特征。尽管HBM4标准刚刚发布不久，但三星、SK海力士以及美光早在2024年就已展开了样品的测试和设计。如Sk海力士，其已宣布将在下半年开始生产HBM4 12Hi。据供应链相关消息，海力士HBM4 12Hi将搭载于英伟达下一代“Rubin”系列处理器中；目前，SK海力士已向英伟达供应HBM3E 12Hi，并已提供HBM4 12Hi样品。同时根据韩国媒体消息，SK海力士已将HBM 4的测试良率提升至70%。测试良率达到70%是一个非常好的成绩，量产后良率还可以进一步提升。韩国另一存储巨头三星紧随其后，三星芯片业务负责人全永铉已宣布：三星计划最早在今年第二季度供应HBM3E 12Hi，并计划在下半年生产HBM4芯片。相比，全球排名第三的存储巨头美光则稍显落后了。在最近报告中，美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra宣布，其将于2026年量产上市HBM4。同时他表示，与HBM3E相比，美光的HBM4可将带宽提高60%以上。综合三大巨头在HBM上的进展，HBM3E代产品SK海力士早已量产应用，三星和美光也即将在量产应用；而HBM4代产品，SK海力士和三星都将于2025年下半年量产，相比Sk海力士显然领先颁布，最晚的是美光将于2026年量产。也就是说，国产HBM3E代最早也得到2027年才能量产，其已经至少落后三巨头2年以上了；而HBM4代目前没有相关消息，但也至少落后3年了。因而，韩国媒体鼓吹的中国存储芯片产业已经威胁到其全球领先地位显然是一种“捧杀”，是一种另类的竞争方式。另外，上文中提到的国产15纳米工艺开始生产最新DRAM DDR5事宜，当然是国产储存芯片技术和产品上的一大突破；但相比而言三星已在开发的10㎚级第6代（1c）DRAM；SK海力士也已量产第六代1b DRAM。也就是说，在DRAM最新技术上，国产存储芯片仍然落后至少一代。再就是从全球存储市场来说，目前SK海力士、三星和美光依然垄断全球市场。根据Counterpoint Research最新数据，2025年第一季度，SK海力士以36%的市场份额占据全球DRAM市场第一；三星以34%市场份额紧随其后；美光以25%的市场份额位居第三；三者加起来占据全球95%的市场。而在高端的HBM市场，SK海力士的市场份额则是高达70%，三星为20%左右，剩下的10%由美光及其他厂商瓜分。
可见，在全球存储市场上国产存储厂商依然难见踪影，三星、SK海力士、美光存储三巨头依然高度统治全球。
因此，国产存储芯片领域近2年来取得巨大的进步和成就；但从技术和产品看，国产最新DRAM落后三巨头至少2年以上；在市场份额上主要占据中低端相对边缘市场；对于韩国媒体所宣扬的：中国存储芯片产业已对韩国存储器厂商构成威胁，显然是一种“变相的捧杀”，其目的在于通过“吹捧”以推动政府出台针对中国产业发展的限制性政策！值得警惕！
