南亚科董事长吴嘉昭在营业报告书中表示，2025年起个人计算机、手机及消费性电子产品可望回温，加上业者库存逐季改善，常规DRAM市场可能在上半年开始复苏。
吴嘉昭指出，服务器整体出货可望持续成长，将带动高频宽存储器（HBM）与高容量DDR5模块出货增长。手机业者库存逐步回到正常水位，且因导入人工智能（AI）功能，预期整体手机出货量及DRAM搭载量可望成长。
个人计算机方面，吴嘉昭说，因作业系统更新，带动企业换机需求，且随着AI PC推出，DRAM搭载量将同步增长。
吴嘉昭表示，其他消费性电子产品需求，短期因中国刺激方案改善需求，加上库存降低推升单价，但美国对等关税引起终端需求的不确定性，后续仍需持续观察。
至于技术发展，吴嘉昭指出，南亚科预计今年完成16Gb DDR5微缩版及16Gb LPDDR4验证，另外8Gb及16Gb LPDDR5产品也将导入试产。使用10奈米3世代制程技术的先导产品将于2025年下半年进入试产，使用10奈米第4世代制程技术的先导产品将于2026年第1季导入试产。
吴嘉昭说，AI相关高频宽存储器（HBM）产品需要以下关键元素，包括高密度先进产品16Gb DDR5、3DIC硅穿孔制程（TSV）及多芯片封装、高频宽产品设计、逻辑基础IC。
吴嘉昭表示，南亚科自2017年开始重建自主研发团队，已推出2个10奈米级世代产品技术，于2024年底量产第2世代的16Gb DDR5。目前正积极重建TSV及多芯片封装，与高频宽产品设计能力。同时以策略性投资及合作建构逻辑基础IC及HBM整合，预计2026年底达验证目标。
